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用語集


ボディバイアス

回路に印加する電圧を変化させることで、リーク電流を抑える技術で、「基板バイアス」とも呼ばれる。通常の方向の電圧とは逆の電圧をかけることで、スタンバイ時のリーク電力を減少させることが可能となる。


サブスレショルドリーク電流(ISUBTH)

トランジスタ・オフ状態において、ソース-ドレイン間に流れる漏れ電流のこと。


High-kゲート絶縁膜

High-kゲート絶縁膜とは、シリコン酸化膜より誘電率の高い絶縁膜であり、高誘電率ゲート絶縁膜とも言う。誘電率が高い絶縁膜を用いることで、リーク電流の小さい厚い絶縁膜厚（物理膜厚）で、薄い酸化膜と同等の電気的換算膜厚が実現可能。NECエレクトロニクスでは、信頼性に優れたHfSiOx膜を採用している。


GIDL (Gate-Induced-Drain-Leakage）

トランジスタ・オフ状態において、ゲート電極下のドレイン端に高い電界がかかることによりドレインから基板へ流れる漏れ電流のこと。