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最新技術動向


NECエレクトロニクスでは、超微細プロセスの開発とともに、あらゆる角度から最新技術の確立に取り組み、幅広いアプリケーションに適合するデバイスの開発を推進しております。


  ９０nm ５５nm
（65nmハーフノード） 		期待できる効果
デバイスオプション* HP/ MP/ LP MP/ LP 各アプリケーションに適応
マルチVth** LVT/MVT/HVT LVT/MVT/HVT 用途別に性能を最適化
トリプルオキサイド 適用 適用 低消費電力化と高速化の両立
電圧(V) 1.0（HP, MP）/
1.2（LP） 		1.2 - 1.0（可変） 用途別に性能を最適化
ゲート絶縁膜 酸窒化膜 High-k膜+酸窒化膜 低消費電力化（トランジスタ）
ゲート電極 CoSi/ Poly-Si NiSi/ Poly-Si 低消費電力化（トランジスタ）
Low-k層間膜 単一low-k膜構造、rigit膜 ハイブリッドlow-k膜構造、ポーラス膜/rigit膜 低消費電力化（配線）と
高速化の両立
eDRAM Ｙ Ｙ 大規模メモリ搭載
露光 ArFドライ ArF液浸 超微細加工
DFM 部分的に適用 全面適用 歩留まり、信頼性向上

＊デバイスオプション：
HP＝ハイ・パフォーマンス
MP＝ミドル・パフォーマンス
LP＝ロー・パワー

＊＊マルチVth：
LVT＝ローVth
MVT＝ミドルVth
HVT＝ハイVth