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先端プロセス技術


製品の高速化や低消費電力化を図るために、NECエレクトロニクスではデバイス微細加工技術の研究開発を推進してまいりました。
2005年度には65nmノードの開発を完了、さらにHigh-k絶縁膜の導入により究極の低消費電力化を達成した55nmノードの実用化に世界で初めて成功いたしました。55nmノードは低消費電力化と45nm世代と同等のトランジスタ性能を同時に実現している点が特長で、65nmノードの設計基準を継承したシュリンク版です。「液浸露光装置」で製造することで、55nmという超微細加工が可能になりました。
次世代デバイスをターゲットにした研究も進めており、2008年度末には40nmノードの量産を開始する予定です。


Technology Roadmap
図1　テクノロジーロードマップ

多彩なオプション

NECエレクトロニクスは、最先端の標準CMOSプロセスはもちろんのこと、幅広いアプリケーションに対応できるオプションプロセスをご提供しております。
混載DRAM(eDRAM)、不揮発メモリ、受動素子、バイポーラ・デバイスのオプションプロセスがございますが、 大容量DRAMを1つのシステムLSIに搭載するeDRAM技術においては、当社が業界を大きくリードしております。標準CMOSプロセスと同時にeDRAMプロセスの開発を進め、2006年には世界で初めて55nmのeDRAM技術開発を完了いたしました。また、次世代の40nmノードについても、eDRAMの開発を行っております。


低消費電力技術

独自の低消費電力技術UltimateLowPowerにより、スタンバイ時、動作時の消費電力を劇的に低減しました。55nmノードでは極薄High-k絶縁膜を採用し、低消費電力化と高速動作を同時に実現しています。このことにより、幅広いアプリケーションに対応できるプロセスをご提供することが可能となりました。