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NECエレクトロニクスは、最先端の標準CMOSはもちろんのこと、幅広いアプリケーションに対応できるオプションプロセスをご提供しております。
これらのオプションは最先端標準CMOSプロセスの性能を損なうことなく混載可能であり、標準CMOSプロセスの有する高い性能と信頼性を保つという点が最大の特徴です。
例えば、CMOSロジックに影響を与えずに、大容量の内蔵DRAMを搭載できます。当社は、標準プロセスとほぼ同時期に混載DRAMをご用意しており、最先端の55nmノードにおいても2006年、開発を完了しました。また、次世代の40nmノードについても、eDRAMの開発を進めております。
また、当社の標準CMOSプロセス自体も3種類以上のトランジスタオプションがあり、これらを活用することでも高速かつ低消費電力のソリューションが得られます。これらのトランジスタの組み合わせで、総消費電力を最小化しつつクリティカル・タイミング・パスを解消することができるのです。 どのオプションを選択した場合でも、当社の標準CMOSプロセス用に設計された知的財産(IP)を流用することができます。