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モバイル機器において、表示システムの低消費電力と低コストを実現しながらも高速描画を可能にした「グラフィック用Buffer IC」をご紹介いたします。
NECエレクトロニクスが独自に開発した「90nm eDRAM技術」を採用することで、5mmx5mmの小型パッケージに、VGAフルカラー対応(8Mbit)の大規模フレームバッファを実現しています。
「M-CMADS3000」と組み合わせることにより、伝送線も削減されタイミング設計も容易になり、最適なパフォーマンスを実現しています。
当社のDRAM混載(eDRAM)技術は様々なアプリケーションに採用されております。DRAM混載のシステムLSIでは、データを格納するメモリ(DRAM)回路とデータを処理させるロジック回路が同一チップ上に形成されるため、データを高速で処理させることが必要なシステム、例えば画像処理システムを構築するのに最適なデバイスである、といわれております。
そこで、ここではゲーム機器への採用事例をご紹介します。
当社の90nm eDRAMは、最新の家庭用ゲーム機のグラフィック・チップに使用されており、画像処理を高速で実行し、高精細な画像を滑らかに表示する役割を担っています。
マイクロソフト社のXbox360®や任天堂のWiiTMにも当社の90nm eDRAMが採用され、多数の量産実績が蓄積されています。
0.18μm eDRAM技術はNintendo GameCubeTMのグラフィックス・システムLSIチップに使われており、既に一千万個以上を出荷しています。
Nintendo GameCubeグラフィックス・チップは、2個の大容量DRAMブロックを搭載しています。当社のDRAMマクロには以下の二つの特徴があり、柔軟なチップレイアウトが可能となっています。
また、NECエレクトロニクスの0.18μm eDRAMプロセスとMoSys1T-SRAMTMメモリ・マクロ・アーキテクチャの組み合わせによりランダムアクセス6.17ns以下で動作する、非常に高性能なDRAMマクロを実現しています。