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SRAMと同等の動作シーケンス

NECエレクトロニクスの混載DRAM(eDRAM)では、お客様の利便性を考慮し、読み出し／書き込み手順をSRAMと同等にしています。すなわち、READとWRITEの間にアイドルサイクルがありません。SDRAM等では必須の複雑な命令は不要ですので、お客様のSoCに容易に組み込むことができます。

アイドルサイクルなしで、連続読み出し動作
SDRAMでは必須の複雑な命令は不要

アイドルサイクルなしで連続読み出し／書き込み動作

アイドルサイクルなしで連続読み出し／書き込み動作

Rowをリフレッシュ
tCK = 5ns for 130nm CB130; 4ns for 90nm

eDRAMはデータ保持のため、定期的な(t_REF以内)リフレッシュ動作が必要です。１つのRowのリフレッシュには１クロックサイクルが必要です。