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90nm eDRAMの高速/ローパワーオプション


90nm eDRAMで二つのオプションを提供
90nm eDRAMで二つのオプションを提供

これまで大規模DRAMをASICチップに内蔵する主要な目的は高性能化でした。90nm以降もこのトレンドは続きます。

一方で、90nm世代からは、高性能化はもちろんですが、ローパワーというもうひとつの要素も特にモバイル関係のアプリケーションには重要になってきます。NECエレクトロニクスのローパワー90nm eDRAMでは動作・待機時双方の消費電力を削減することができます。

ローパワーオプションでも依然優れた性能－100MHzランダムアクセスーを実現しています。一方で高集積度も実現します。例えば15mm角のチップに256MbのDRAMを搭載できます。（チップ面積の50%を内蔵DRAMに割り当てた場合）


  • 90nm eDRAMで二つのオプションを提供
    • 高速タイプ
    • ローパワー／高集積

90nmプロセスはすでに実証済み

90nm eDRAM断面図
90nm eDRAM断面図

NECエレクトロニクス90nm DRAMの独自の材料、製造工程により、完全CMOS互換性を保ちつつ高性能・ローパワー実現しています。一例は、フルメタルeDRAMと称する構造です。eDRAM素子の種々の部位にメタル材料を使用し、寄生抵抗や容量を低減し、一般の内蔵DRAMと比較して高性能・ローパワーを実現できるのです。

90nm eDRAM世代では、ZrO2を用いた、第二世代のMIM（金属－絶縁膜－金属）を実用化しました。高い誘電率、少ない漏れ電流、低温で形成可能あること等、eDRAMの性能向上に理想的な要素を備えています。