高速ランダムアクセス

NECエレクトロニクス製eDRAM(4.7 ns)
tRCK: < 5ns
tRAC: < 4.7ns
(@130nm eDRAM)

他社製eDRAM (50 ~ 60 ns)

NECエレクトロニクスの混載DRAM(eDRAM)は独自のMIM(金属－絶縁膜－金属）キャパシタ技術を採用しているため、他社製eDRAMと比較して優れた高速ランダムアクセス性能を実現しています。

130nm世代のeDRAMでは、電圧1.2Vで314MHz（レイテンシ＝１）のランダムアクセス時間を実現、ワースト条件（電源電圧1.1V、Tj＝105°C、プロセススローコーナー）でも200 MHzのランダムアクセス性能を保証しています。90nm世代のeDRAMでは、電圧0.9Vで250MHz（ワースト条件）を実現することができます。

メモリへのアクセスは、SRAMと同等のシンプルなスキームで行うことができます。T=0時に任意のrowあるいはcolumnアドレスにデータをセットすればよく、また読み出しと書き込みを同一クロックサイクルで行えます。NEC Electronics130nm世代のeDRAMでは200 MHz動作が可能でアクセス時間(tRAC)は僅か4.7nsです。これに対し、従来のDRAM混載技術におけるランダムアクセス性能は、初期のデータにアクセスするためにアイドルクロック時間（レイテンシ）を要するため、実働20 MHzとなります。

• MIM(金属－絶縁膜－金属）キャパシタ技術について