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eDRAMの特長


ＮＥＣエレクトロニクスは標準プロセスの開発とほぼ同時に、混載DRAM(eDRAM)技術も開発しております。90nmノードのeDRAMデバイスをすでに量産中で、2006年には55nmノードにおいてもeDRAM技術を確立しました。また、次世代の40nmノードについても、eDRAMの開発を進めております。
この新世代eDRAMは、お客様に様々な付加価値をご提供いたします。ＮＥＣエレクトロニクスeDRAM技術の特色を以下に示します。


ＮＥＣエレクトロニクスeDRAM技術の特色


これらの特徴により、eDRAMのアプリケーションは大きく広がっています。通信、ホームエレクトロニクス、高速サーバーそしてゲーム。ＮＥＣエレクトロニクスはこれらの幅広い分野にeDRAM ASICを供給しています。また、任天堂社WiiTMやマイクロソフト社Xbox360®向けグラフィック・チップなどの大量供給実績もあり、充分な生産能力を保有しています。

優れた性能と多様なアプリケーションへの採用実績を持つNECエレクトロニクスのeDRAMは、ASIC設計者の高い評価を得ています。90nm eDRAMは、高速動作に加えて、高集積・低消費電力化といった特長を持つため、携帯電話のようなモバイル用途にも最適です。


eDRAMの長所

eDRAMを使用しない場合
eDRAMを使用しない場合
eDRAMを使用した場合
eDRAMを使用した場合

大規模DRAMブロックをASICチップに内蔵することにより、様々な利点が生まれます。メモリを個別のチップで構成する場合、I/Oが必要となりますが、eDRAMではこのI/O部が不要です。すると、I/Oシグナルを通して別チップに信号を送る必要がなくなるため、メモリアクセス速度が向上し、バンド幅も大きくとることができます。また、I/O部に起因するノイズの発生や電力の消費もなくなります。さらにはパッケージのピン数、プリント回路基板の層数も削減できますので、より小さく安価なパッケージと基板を採用することが可能となります。その結果、基板上の搭載パッケージ数が減り、設計の容易化、基板面積の縮小が期待できるのです。
上記に示した一般的なDRAM内蔵の利点に加え、NECエレクトロニクスならではの様々な利点があります。NECエレクトロニクスeDRAM技術は、標準CMOSプロセスと完全互換であるため、性能、信頼性はそのまま維持されます。したがって標準CMOSで設計された既存のIPを自由に組み合わせることが可能です。また、eDRAM搭載に要する付加工程を最小限に抑え、生産コストの削減を実現しております。
さらに、90nm eDRAMで導入した新材料ジルコニウム酸化膜(ZrO2)のキャパシタへの適用により、他社の追随を許さない高い性能を実現しております。
また、独自のセル構造により、メモリアレイの寄生抵抗と容量を大幅に減らしました。これによりアクセスの高速化、消費電力の削減を実現しました。寄生抵抗を減らしたことにより、今日のCMOSロジックでは必須である低電圧におけるeDRAMマクロの高速動作を可能にしました。ＮＥＣエレクトロニクスの90nm eDRAMでは、0.9Vで250MHz以上の動作速度（初期レイテンシ1）を実現しました。


  • eDRAMによる利点:
    • 広いバンド幅
    • 消費電力低減
    • ピンカウント数削減
    • 集積度向上
    • ノイズ耐性向上
    • 高性能化
    • ソフトエラー率（SER）の低減


ＮＥＣエレクトロニクスのeDRAMポートフォリオ

eDRAMポートフォリオ

eDRAM搭載製品を従来の130nm,150nm, 90nmASIC（CB-130, CB-12,CB-90）から最先端の55nm、40nmまで拡張し、CB-55Lではさらなるスピード向上、パワー低減、高集積化を実現、お客様に業界最高レベルのパフォーマンスをご提供いたします。他社製品ではランダムアクセススピード100MHz（レイテンシ＝１）程度までしか実現できていませんが、NECエレクトロニクスの90nm eDRAMは、250MHz超（レイテンシ＝1、0.9V、ワースト条件）で動作します。

eSRAMに対しても、面積縮小、パワー低減、ソフトエラー率(SER)耐性向上という利点があります。


eDRAM開発ロードマップ

ロードマップ
eDRAMロードマップ

NECエレクトロニクスはCMOSの世代進行にあわせて常に最先端のeDRAMを開発、提供いたします。プロセス世代が進むことによる集積度向上に加えて、新しいテクノロジを導入し、さらなるセルサイズ縮小、性能向上を実現して行きます。最先端CMOSプロセスの供給から６ヶ月で同世代のeDRAMを提供しております。完全CMOS互換、SRAMライクなアクセス、低電圧動作という特徴を生かし、お客様の様々なSoCへのご要求にお応えします。