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ボディバイアス
UltimateLowPowerのデバイス構造1
－ボディバイアスに対して感度を高めたチャネル設計－
UltimateLowPowerでは、ボディバイアスを用いてチップのトータルリーク電力を低減します。ボディバイアスの印加によりトランジスタのしきい値を上げ、トランジスタの３つのリーク電流の要因のひとつである、サブスレッショルドリーク電流(ISUBTH)を低減します。
図1
また、UltimateLowPowerのCMOSトランジスタでは、「急峻な逆傾斜型ウェル」を採用しています。
図2
「急峻な逆傾斜型ウェル」とは、チャネル表面の濃度は低く制御し、チャネルから少し離れた深い領域では濃度を高く制御したチャネルプロファイル構造のことを指します。チャネル濃度を低くすることでトランジスタの駆動能力を高め、同時に少し離れた部位に高濃度領域を設けることにより、ボディバイアスに対してのVTH変調幅を大きくとることができるのです。
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