SMAFTI®のテクノロジー

バンプピッチ 50µmを実現し100Gbpsのデータ伝送を可能

シリコン同士を接続する手法を採用したことにより、従来のプリント基板への接合ピッチの約1/4の狭ピッチとなる50µm間隔でのバンプ形成を実現しています。これによりロジックとメモリの接合を多ピット化することができ、従来比で10倍以上となる100Gbpsの高速データ伝送が可能となります。
さらに、厚さ5umのCu配線は、チップへ安定した電源供給を行うことができます。FTI層間樹脂やモールド樹脂は応力緩和の効果を有しており、Siチップとマザーボード間の熱膨張の差を吸収し、実装信頼性の向上につなげています。このような機能により、複数のLSIチップからマザーボードへ接続をよりスマートに行うことができるのです。

メモリとロジックの信号接続数(バス幅)

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SMAFTIはNECエレクトロニクス株式会社の日本、ドイツ、韓国、台湾における登録商標です。