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SMAFTI®のテクノロジー

シリコン同士を接続する手法を採用したことにより、従来のプリント基板への接合ピッチの約1/4の狭ピッチとなる50μm間隔でのバンプ形成を実現しています。
これによりロジックとメモリの接合を多ピット化することができ、従来比で10倍以上となる100Gbpsの高速データ伝送が可能となります。

SMAFTIの構造概要

従来

メモリバス幅32bit

SMAFTI

512bit以上の多ビット化可能

矢印キーで3Dイメージ画像の方向を変えることができます。角度を変えてご覧ください。こちらはイメージ画像のため、実際の仕様、寸法とは異なります。

SMAFTIはNECエレクトロニクス株式会社の日本、ドイツ、韓国、台湾における登録商標です。