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SMAFTI®のソリューション
大容量メモリとのSiPを可能にする極薄フィードスルーインターポーザ
従来のパッケージ内配線の約半分となる線幅15μmの銅めっき配線と7μm厚のポリイミド樹脂による「スーパーコネクト」技術により、厚さわずか15μmのインターポーザ（FTI: Feedthrough Interposer）を開発しました。
このインターポーザは50μmという狭ピッチでロジック-メモリ間を接続すると共に、ロジックチップから外部端子への配線引き出しを行なっております。
また貫通電極を用いた積層メモリにも対応、8枚のメモリを一つのパッケージ内に収めることが可能です。
貫通電極を用いた積層メモリにも対応するSMAFTI
積層メモリパッケージ断面構造図
FTIウェハ上に接続されたメモリTEGチップ。8つのチップがブロックとしてスタック
Poly-Si（ポリシリコン）TSVおよびSn-Ag（スズ/銀）マイクロバンプ仕様のSMAFTIパッケージSEM断面画像
SMAFTIはNECエレクトロニクス株式会社の日本、ドイツ、韓国、台湾における登録商標です。
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