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SMAFTI®のプロセス


独自かつ先端のウェハアセンブリ技術を開発

SMAFTIのプロセスは、全工程ウェハレベルで行うのが特徴です。まず、スーパーコネクト配線を施したシリコンウェハ上にメモリを搭載、それを封止した後にシリコン基板を除去、裏面側にロジックチップを搭載して、その後に外部端子であるBGAを形成して完成です。
SMAFTIのアセンブリ技術は、ウェハレベルCSPのような既存パッケージの製造インフラを利用でき、従来のパッケージでは別に用意する必要のあるパッケージ基板が無くてもチップとスーパーコネクト配線との接続のみで最終パッケージの機能を実現できるため、効率的な生産が可能となります。


SMAFTIのプロセス

SMAFTI製造プロセス図

©NEC生産技術研究所 2006


SMAFTIの特徴

  1. ロジックと1Gbitクラスのメモリを搭載可能な小型パッケージ
  2. 高速信号伝送
  3. 高品位画像処理
  4. 低消費電力
  5. 低インピーダンス電源配線
  6. 広いバス幅
  7. 全工程ウェハレベルでの組立プロセス
  8. 低コスト


SMAFTIはNECエレクトロニクス株式会社の日本、ドイツ、韓国、台湾における登録商標です。