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部分加熱方式のはんだ付け推奨条件を下記に示します。 |
表3-3-8 推奨条件
| ・ピーク温度 |
300℃以下(端子部温度) |
| ・時 間 |
3秒以内(1端子あたり) |
| ・フラックス |
塩素含有量の少ないロジン系フラックス
(塩素(質量百分率)0.2%以下) |
*ピーク温度は、300℃の場合と、350℃の場合の、2通りあります。
詳細については、NECエレクトロニクス販売員にお問い合わせください。 |
表3-3-9 推奨条件
| ・ピーク温度 |
300℃以下(端子部温度) |
| ・時 間 |
3秒以内(デバイスの一辺あたり) |
| ・フラックス |
塩素含有量の少ないロジン系フラックス
(塩素(質量百分率)0.2%以下) |
*ピーク温度は、300℃の場合と、350℃の場合の、2通りあります。
詳細については、NECエレクトロニクス販売員にお問い合わせください。 |
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