ページの先頭です
本文へジャンプする

本ウェブサイトでは、JavaScriptおよびスタイルシートを使用しております。
お客さまがご使用のブラウザではスタイルが未適応のため、本来とは異なった表示になっておりますが、 情報は問題なくご利用いただけます。

製品情報 > パッケージ > 半導体デバイス 実装マニュアル > はんだ付け条件 > はんだ付け推奨条件 >

第3章　はんだ付け条件


3.3　はんだ付け推奨条件
3.3.3　各はんだ付け方式の推奨温度プロファイル
   

（1）赤外線リフロー220℃

赤外線リフロー方式のはんだ付け推奨条件を下記に示します。

表3-3-1　推奨条件
・最高リフロー温度（パッケージ表面温度） 220℃以下
・リフロー温度183℃の時間 60秒以内
・プリヒートの温度120～160℃の時間 60～90秒
・ロジン系フラックスの塩素含有量（質量百分率） 0.2％以下


220℃の推奨温度プロファイルの図(9.5KB)

図3-3-2　赤外線リフロー温度プロファイル

*リフロー回数は、製品によって1回、2回、3回のものがあります。
　詳細については、NECエレクトロニクス販売員にお問い合わせください。

3.3.3 「各はんだ付け方式の推奨温度プロファイル」へ3.3.3（2）「赤外線リフロー230℃」へ