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第3章 はんだ付け条件


3.3 はんだ付け推奨条件

3.3.3 各はんだ付け方式の推奨温度プロファイル
   
NECエレクトロニクスのはんだ付け条件は大別すると、はんだ付け方式の加熱条件の項とパッケージの吸湿管理と実装回数の項になります。

各はんだ付け方式とその推奨条件を,次ページ以降の(1)~(8)に示します。

(1)赤外線リフロー220℃の推奨温度プロファイル
(2)赤外線リフロー230℃の推奨温度プロファイル
(3)赤外線リフロー235℃の推奨温度プロファイル
(4)赤外線リフロー250℃の推奨温度プロファイル
(5)赤外線リフロー260℃の推奨温度プロファイル
(6)VPSの推奨温度プロファイル
(7)WSの推奨温度プロファイル
(8)部分加熱の推奨温度プロファイル

注1. 赤外線リフロー法は、製品によって推奨ピーク温度220℃、230℃、235℃、250℃、260℃のものがあります。詳細につきましては、NECエレクトロニクス販売員にご相談ください。
注2. 実装回数は、製品によって1回、2回または3回のものがあります。 詳細につきましては、NECエレクトロニクス販売員にご相談ください。
注3. 部分加熱法などの詳細ははんだ付け方法の節をご参照ください。
また、はんだごてやフローはんだ付けにより実装する場合は、そのはんだ付け装置は電源リークがないよう、1MΩ程度の抵抗を通してアースしてください。

3.3.2 「推奨条件の決定方法」へ3.3.3(1)「赤外線リフロー220℃」へ