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オプト・RF&マイクロ波デバイスの半導体鉛フリー製品について




鉛フリー化方針

NECエレクトロニクスはグリーンベンダーとして、環境配慮型製品の開発、供給の一環としての鉛フリー化を積極的に促進することで、地球環境保全に貢献いたします。
オプト・RF&マイクロ波製品*1については、全製品においてすでに鉛フリー化技術対応を完了しており、鉛フリー化製品の受注を行っております。
また、今後の新製品につきましてはすべて鉛フリーにて対応いたします。

なお、環境への配慮から、オプト・RF&マイクロ波製品*1については2006年9月末の鉛全廃*2に向け、2005年10月以降、順次切り替え*3を進めております。

*1:旧NEC化合物デバイス(株)製品
*2:RoHS準拠(一部内部に鉛含有部材が残る製品がございます)
  詳細は販売員までお問い合わせください。
  中国版RoHSに関しては、こちらをご覧ください。
*3:保守廃止品を除く。


鉛フリー化施策


1.鉛フリー化を必要とする部位
鉛フリー化を必要とする部位 はんだペースト、ソフトソルダ等のマウント材 (モジュール系および一部のパワーデバイス)
端子部はんだメッキ (プラスチック系パッケージ)

2.鉛フリー化の方法
(1)端子部はんだメッキ
現状品 変更品
Sn-Pb Sn-Bi*
Au Au
*: はんだディップ品(ラジアルタイプトランジスタ)はSn-Ag-Cuディップ

(2)マウント材等のパッケージ内部の鉛
すでにRoHS準拠(完全鉛フリー化につきましては技術開発中であり対応時期は未定)


鉛フリー化仕様


パッケージ 端子部処理 マウント材 その他の内部鉛使用
SOP系 Sn-Biメッキ* 鉛使用なし 鉛使用なし
DIP系 Sn-Biメッキ* 鉛使用なし 鉛使用なし
QFN系 Sn-Biメッキ* 鉛使用なし 鉛使用なし
MM系 Sn-Biメッキ* 鉛使用なし 鉛使用なし
パワーモールド Sn-Biメッキ* RoHS準拠済み
完全鉛フリー化
継続活動中
(Sn-Pbソフトソルダ
使用)
鉛使用なし
ラジアルタイプ
(トランジスタ)
Sn-Ag-Cu
ディップ*
鉛使用なし 鉛使用なし
モジュール系
(MCM)
(レーザーDi)
Auメッキ
(従来品からの
変更なし)
Sn-Ag-Cuペースト* RoHS準拠済み
完全鉛フリー化
継続活動中
(鉛ガラス、セラミック部品等)
セラミック系および中空モールド Auメッキ
(従来品からの
変更なし)
鉛使用なし 鉛使用なし
*:
端子部処理は2001年10月に対応完了、内部鉛は2002年12月にRoHS準拠対応完了


鉛フリー製品*の識別表示


製品現品表示:
ミニモールドパッケージ製品のような小型パッケージ品を除き、鉛フリー製品にはドットマークまたは代替マークを捺印いたします。

包装ラベル:
すべての鉛フリー製品は包装箱ラベルにPbフリー識別マークを印字し、さらにテーピングにて出荷の場合にはテーピングリールラベルにも同様に、Pbフリー識別マークを印字いたします。
製品捺印用ドットマーク Pb-Free T.
製品捺印用ドットマーク 包装ラベル用Pbフリー識別マーク
*: 既存品から変更なく対応可能な製品を除く


鉛フリー製品の識別表示方法


= 化合物/Si高周波デバイス =
パッケージ 製品表示 ラベル表示
SOP系 ドット表示 鉛フリー識別マーク表示
(下図参照)
SSOP系** ドット表示**
QFN系 アンダーバー表示
DIP系 ドット表示
TSSOP/HTSSOP 表示なし
TSON系 表示なし
ミニモールド系 表示なし
パワーモールド 表示なし
TO-92 表示なし
**: 175mil 8PIN SSOPは表示なし


製品表示例 ラベル表示例
捺印表示面に、ドットマークまたは
アンダーバーを印字

8pSOP、QFNの印字例
(8PIN SOPの印字例)      (QFNの印字例)    

包装ラベルに
識別マークを印字


Pb-Free T.

(鉛フリー識別マーク)

詳細につきましては、個別にお問い合わせください。


= NEPOC製品(フォトカプラ・光MOS) =
パッケージ 製品表示 ラベル表示
DIP(4,6,8PIN) 規格捺印にて識別

内装・外装ラベルに
鉛フリー識別マーク表示

Pb-Free T.

SOP 4PIN レーザー捺印 バーを捺印
インク捺印 品名を斜体文字
光MOS SOP 8PIN 規格捺印にて識別
SSOP 4PIN □マーク捺印
SSOP 16PIN レーザー捺印 規格捺印にて識別
インク捺印 品名を斜体文字
フラットリード バーを捺印

製品表示例
DIP(4,6,8PIN)
DIP(4,6,8PIN)
規格の2桁目にて識別
SOP(レーザー捺印)
SOP(レーザー捺印)
パッケージ右下に
縦棒(バー)を表示
SSOP 4PIN
SSOP 4PIN
□マークを捺印
詳細につきましては、個別にお問い合わせください。


鉛フリー製品の推奨実装温度条件


1. 表面実装型製品(SMD)
ピーク温度260℃のIRリフロー
溶融はんだ槽温度260℃のウェーブソルダリング
コテ先温度350℃の部分端子加熱
が適用可能です。
2. 端子挿入型製品(THD)
溶融はんだ槽温度260℃のウェーブソルダリング
コテ先温度350℃の部分端子加熱
が適用可能です。
3. 特殊手付け型製品
コテ先温度350℃の部分端子加熱が適用可能です。

IRリフロー
(IR260)
・最高温度(パッケージ表面温度):
260℃以下
・最高温度の時間: 10s以内
・220℃以上の時間: 60s以内
・プリヒート温度 120~180℃の時間: 120±30s
・最多リフロ回数: 3回
・ロジン系フラックスの塩素含有量(質量百分率): 0.2%(Wt.)以下


IRリフロー
上記以外のIRリフロー実装条件;
IR245(準備中)
IR250-N1(準備中)
IR260-D31/*-N2(準備中)
IR260-D7/10(準備中)

 

ウェーブソルダリング
(WS260)
・最高温度(溶融はんだ温度):
260℃以下
・フロー時間: 10s以内
・プリヒート温度(パッケージ表面温度): 120℃以下
・フロー回数: 1回
・ロジン系フラックスの塩素含有量: 0.2%(Wt.)以下

部分端子加熱(手付け実装)
(HS350/HS350-P3)
・最高温度(端子部温度):
350℃以下
・時間 (デバイスの一辺***あたり:HS350
    または一端子***あたり:HS350-P3):
3s以内
・ロジン系フラックスの塩素含有量: 0.2%(Wt.)以下
(***:SMDは一辺あたり、THDは一端子あたりで定義)  

以上は標準的な条件であり、一部特殊対応部品がございますので詳細は販売特約店および営業へご確認ください。