CTR値の順電流値測定条件は製品ごとに異なりますので、ご使用の際は設定値をご確認ください。
　また、規格値以外でのご使用の場合は、CTR値のばらつきなどから標準特性曲線から外れる場合がありますので、実際にご使用になる条件での特性をご確認いただき、ばらつき等を十分考慮のうえご使用ください。

1. 1 実装時の取り扱いについて

　光半導体デバイスは光学特性を重視する関係上、光を外部もしくは内部に効率よく伝達する樹脂を必要とします。特に発光、受光素子に使用される樹脂は一般のICなどと異なり、純粋に近い透明なエポキシ樹脂をそのまま使用しております。そのため一般の半導体に比較して耐熱性、耐薬品性、機械的衝撃および耐摩耗性などの強度面において若干弱い面がありますので、実装時の取り扱いについて特に注意する必要があります。
　ここでは、実装方法および一般的注意事項について記載いたしますので、作業に際しご参照いただき、トラブル発生を未然に防止するようお願いいたします。

　半田付け作業は個々のデバイスに規定されている条件内で実施願います。半田付け時の一般的注意事項として、リード線間に機械的ストレスの残った状態での半田付け作業や半田付け高温時にリード線間に引っ張り、ねじれ、圧縮などの応力が加わる作業をすると、オープン、ショートの事故の原因となりますので、十分注意願います。
　使用フラックスは塩素分の少ないロジン系を推奨いたします。

　部品をプリント板に半田付け後、フラックス除去のために溶剤を用いて洗浄する場合は、表1－2の推奨条件にて実施願います。

（1）

ブラッシングについては、捺印マークが消えたり、モード樹脂面を傷つける恐れがありますので、実施しないでください。

（2）

特に、フロン系および塩素系溶剤は環境破壊・汚染が問題になっており、生産および消費規制が強化されています。

（3）

溶剤ならびに洗浄については、あらかじめ実使用状態で、問題のないことを確認のうえ、実施してください。

（4）

受光素子は、洗浄時ゴミ、汚れが付着しますと、誤動作の原因となりますので付着しないよう十分注意してください。

注意事項

・ノイズについての注意事項

フォトカプラの入力－出力間、またはコレクタ－エミッタ間に立ち上がりの急峻な電圧が印加されると、定格内であっても出力側がオン状態になることがありますので、ご確認のうえご使用願います。

・ドライパック製品について

ドライパック内装開封後は、包装材に貼り付けられたラベルの指示内容の保管期間内に半田付けを実施してください。

・吊りピンとリードは接触させないで使用してください。

洗浄条件

溶剤浸漬

溶剤温度≦45 ℃、浸漬時間≦3分

超音波洗浄

超音波出力≦15 W/リットル、洗浄時間≦30秒
液温：40 ℃程度の低い温度を保つ
周波数：28 kHz

蒸気洗浄

蒸気温度≦45 ℃、浸漬時間≦3分

1. 2　一般的な注意事項

　光半導体デバイスは静電気破壊に対しては十分な注意が必要です。そのためには、静電気の発生をできるだけ抑えること、デバイスを取り扱う場所の環境をそれに見合ったものにする必要があります。
　作業環境としましては、静電気を発生しやすい物質を置かないこと、静電気が発生したとしても100 V以下に抑えることが必要です。また、乾燥期には加湿を行い低湿度状態を避けることが必要です。
　作業においては帯電しやすい材質（特に化学繊維やプラスチックは帯電しやすい）はできるだけ避けて、導電性（静電気シールドパック、導電性マット）の物を使用してください。
　作業者はアースバンド（1 MΩ抵抗入り）を装着して、作業をすることが必要です。
　測定や試験の機器類、および作業台、床には導電性マットを敷いてアースをして、静電気に対しての対策が必要です。

　 光半導体デバイスの保管場所はできるだけ温度（5～30 ℃）および湿度（20～70 ％RH）の変化が少ないところで保管してください。保管状態では光半導体デバイスに荷重が掛からないように注意してください。
　運搬に際しては、振動、衝撃などは極力避けて、取り扱いには十分注意してください。
　取り扱い注意事項についての詳細は弊社発行の「半導体　品質／信頼性ハンドブック」を参照願います。

　ガリウムひ素製品の取り扱い注意事項

　光半導体デバイス製品には、ガリウムひ素（GaAs）が使用されています。

• GaAsの粉末や蒸気は危険です。焼却、破壊、切断、粉砕や化学的な分解を行わないでください。

• 本製品を口に入れないでください。

• 本製品は、一般産業廃棄物や家庭用ごみから分別し、関係法令に従って廃棄処理を行ってく ださい。