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ニュースリリース(企業経営)

ニュースリリース(企業経営)
2008年 7月 2日
中国・長春市に支店を設立
2008年 6月26日
役員の異動について
2008年 6月26日
「環境経営報告書2008」の発行について
2008年 6月26日
「CSRレポート2008」の発行について
2008年 6月20日
表示パネル駆動用半導体分野で合弁会社を設立することで合意
2008年 6月20日
45/40ナノプロセスを採用したトランジスタの特性ばらつき低減技術を開発
2008年 6月19日
世界初、Low-k/Cuダイレクトコンタクト配線構造の形成技術を開発
2008年 6月17日
次世代低消費電力システムLSI向けメタルゲート技術を開発
2008年 6月 6日
NECエレクトロニクス台湾に光ストレージ向けソフトウェアの開発拠点を設立
2008年 6月 4日
超高信頼・低抵抗Cu配線を実現する新ルテニウムバリア構造を開発
2008年 6月 3日
最先端LSIのノイズ抑制に不可欠なオンチップHigh-k MIM容量形成技術を開発
2008年 5月28日
6.25Gbps以上の高速信号転送を可能にするパッケージ設計技術の開発について
2008年 5月27日
NECセミコンダクターズ山形の300ミリラインの生産能力を増強
2008年 5月15日
国連が提唱する「グローバル・コンパクト」に参加
2008年 5月14日
2008年3月期決算概要
2008年 5月14日
役員の異動について
2008年 4月22日
大学との共同研究の開始について
2008年 4月18日
2008年3月期の通期業績予想修正に関するお知らせ
2008年 4月 2日
関係会社の人事異動に関するお知らせ
2008年 4月 1日
2008年度 入社式について
2008年 3月25日
役員の異動について
2008年 3月24日
自動車搭載向け半導体事業の強化について
2008年 3月11日
早期退職優遇制度の実施結果に関するお知らせ
2008年 3月 3日
子会社再編による新会社の概要について
2008年 2月21日
通信用光半導体の主要メーカ6 社が、40Gbit/s ソリューションに向けた光デバイスの共通仕様(XLMD-MSA)を公開
2008年 2月15日
「早期退職優遇制度」の実施について
2008年 2月13日
インドにおける事業展開について
2008年 2月 5日
多様な無線規格に1チップで対応可能なソフトウェア無線用のアナログベースバンドLSI技術を開発
2008年 1月28日
2008年3月期第3四半期決算概要
2008年 1月15日
当社の車載マイコン事業戦略について
2008年 1月 7日
2008年 社員向け年頭訓示
2007年12月13日
完全Low-k化した層間絶縁膜適用モジュールによる低電力LSI配線を実現
2007年12月11日
最先端LSIを低電力・高性能化するチャネル構造設計技術を開発
2007年12月11日
32ナノ世代以降も導入可能な電気ヒューズ技術の開発について
2007年12月 3日
関係会社の人事異動に関するお知らせ
2007年11月28日
当社の事業戦略について
2007年11月27日
32ナノメートル世代のシステムLSIプロセス技術の共同開発について
2007年11月19日
40ナノメートルのDRAM混載システムLSIのプロセス技術を開発
2007年11月16日
NEC山形において40ナノの半導体製品を生産
2007年11月14日
「32ナノ共同開発」に関する本日の報道について
2007年11月13日
2008年3月期中間決算概要
2007年11月13日
半導体ものづくり推進センターを設置
2007年11月 7日
2008年3月期中間期連結業績予想修正に関するお知らせ
2007年11月 1日
少数特定者持株比率に関する猶予期間入り解除のお知らせ
2007年10月23日
パワー半導体事業の強化について
2007年 9月19日
45ナノメートル世代の高速通信用システムLSIに向けたオンチップ静電気保護回路を開発
2007年 9月18日
45ナノメートル世代に向けたオンチップ静電気保護技術の確立
2007年 8月31日
子会社の解散に関するお知らせ
2007年 8月27日
中国における販売体制強化について
2007年 8月22日
パワーMOSFETおよびシステム電源IC事業の強化について
2007年 8月 2日
化合物デバイス事業の強化について
2007年 7月30日
2008年3月期 第1四半期連結決算概要
2007年 7月30日
子会社の解散に関するお知らせ
2007年 7月10日
少数特定者持株比率に関するお知らせ
2007年 7月 4日
低消費電力化技術を結集した携帯電話向けシステムLSI「M2」の発売について
2007年 6月28日
「CSRレポート2007」の発行について
2007年 6月27日
役員の異動について
2007年 6月25日
「環境経営報告書2007」の発行について
2007年 6月19日
人事異動のお知らせ
2007年 6月15日
微細トランジスタ特性のばらつきがLSI回路動作に及ぼす影響を高精度に予測する技術を開発
2007年 6月14日
無線IPコアのデジタル化を推進するデジタル無線技術を開発
2007年 6月11日
短期間かつ低コストでシステムLSIを実現する45ナノノードトランジスタ形成技術を開発
2007年 6月 1日
社員がボランティア活動で多摩川清掃に参加
2007年 5月31日
65ナノメートルプロセスのチップを搭載した超薄型フリップチップBGAパッケージ技術の開発について
2007年 5月14日
2007年3月期 決算概要
2007年 5月14日
役員の異動について
2007年 4月 2日
2007年度 入社式について
2007年 3月30日
主要株主の異動に関するお知らせ
2007年 3月26日
通信用光半導体の主要メーカ6社が40Gbit/sソリューションに向けた小型光デバイスの仕様共通化(XLMD-MSA)で合意
2007年 3月22日
役員の異動について
2007年 3月16日
(訂正)主要株主の異動に関するお知らせ
2007年 3月 6日
前NECエレクトロニクス社長(元NEC専務)戸坂 馨死去のお知らせ
2007年 2月22日
自動車およびデジタル民生分野のリーディング企業を目指した経営方針を策定
2007年 2月22日
2007年3月期通期業績予想修正に関するお知らせ
2007年 2月 9日
高校の授業に当社製マイコンを使った教材を提供
2007年 2月 7日
自動車向け半導体に関する顧客イベントの開催について
2007年 1月25日
2007年3月期第3四半期決算概要
2007年 1月22日
デジタル家電向け半導体事業の強化について
2006年12月26日
半導体フォトマスクにおける事業協力について
2006年12月14日
サーバー並の大容量メモリの搭載を可能にする積層メモリパッケージ技術の開発について
2006年12月14日
45nm世代高性能システムLSIの量産技術を開発
2006年12月 8日
32nm世代LSIの多層配線を世界に先駆けて試作し、基本性能を実証
2006年12月 1日
90ナノノード以降の多電源システムLSIにおける静電気放電保護技術の開発について
2006年12月 1日
65nm世代以降のシステムLSIの設計に不可欠な設計手法を開発
2006年11月30日
自動車向け半導体事業の強化について
2006年11月 7日
業界で初めて設計ルール55ナノメートルを実現したDRAM混載LSI技術の開発について
2006年10月31日
緑の祭典"かながわ未来の森づくり"に協賛
2006年10月25日
2007年3月期中間期決算概要
2006年10月25日
2007年3月期通期業績予想の修正に関するお知らせ
2006年10月 4日
主要株主の異動に関するお知らせ
2006年 9月29日
ボランティア社員による通勤路の清掃を実施
2006年 9月27日
子会社の合併に関するお知らせ
2006年 9月27日
役員の異動について
2006年 9月 5日
ボランティア社員による水源林保全活動を実施
2006年 9月 4日
NECエレクトロニクス韓国の設立について
2006年 8月29日
役員の異動について
2006年 8月28日
化学物質の排出量削減について
2006年 8月25日
高並列処理技術を導入した車載向け画像認識用プロセッサの発売
2006年 8月24日
「CSRレポート2006」の発行について
2006年 8月21日
「環境経営報告書2006」の発行について
2006年 8月21日
第3世代以降の携帯電話の通信プラットフォームの開発を行うアドコアテック株式会社を設立
2006年 8月 4日
NECセミコンダクターズ・シンガポールの30周年式典の開催について
2006年 7月31日
5千万トランジスタを超える超大規模高速動作LSIの設計期間を大幅に短縮する設計手法を開発
2006年 7月27日
第3世代以降の携帯電話の通信プラットフォームの開発会社を設立
2006年 7月26日
2007年3月期第1四半期決算概要
2006年 7月12日
ストック・オプション(新株予約権)の行使に際して出資される財産の価額等に関するお知らせ
2006年 6月27日
ストック・オプション(新株予約権)の付与に関するお知らせ
2006年 6月27日
役員の異動について
2006年 6月16日
55ナノ以降のシステムLSIを実現するトランジスタ形成技術を開発
2006年 6月13日
45nm以降の先端半導体に関する標準化に向けて合意
2006年 6月 5日
社員がボランティア活動で多摩川清掃に参加
2006年 5月10日
当社のDRAM混載LSIが任天堂の新しい家庭用ゲーム機「WiiTM(ウィー)」に搭載
2006年 4月28日
定款の一部変更に関するお知らせ
2006年 4月28日
ストック・オプション(新株予約権)の付与に関するお知らせ
2006年 4月28日
「資本準備金の減少に関するお知らせ」の訂正について
2006年 4月28日
「2006年3月期 個別財務諸表の概要」の訂正について
2006年 4月25日
2006年3月期決算概要
2006年 4月25日
資本準備金の減少に関するお知らせ
2006年 4月25日
役員の異動について
2006年 4月21日
繰延税金資産に対する評価引当金の計上などによる2006年3月期の業績予想修正に関するお知らせ
2006年 4月 3日
組織改正について
2006年 4月 3日
2006年度入社式について
2006年 3月23日
役員の異動について
2006年 3月 3日
NECエレクトロニクス中国が本格稼働
2006年 3月 3日
中国におけるデジタル家電向け半導体事業の強化について
2006年 2月22日
車載向けマイコン事業の強化について
2006年 2月13日
16ビット対応製品の投入によるフラッシュメモリ搭載型マイコン事業の強化について
2006年 2月 9日
先端LSI設計・開発を支援する 世界最高精度のLSI内クロック信号品質測定技術を開発
2006年 2月 1日
45ナノメートル世代のシステムLSIプロセス技術の共同開発について
2006年 1月25日
2006年3月期第3四半期決算概要
2006年 1月25日
子会社の合併に関するお知らせ
2006年 1月18日
工場内ネットワーク構築用LSIの販売に関するシーメンスとの提携について
2006年 1月16日
地上デジタルハイビジョン放送対応のシステムLSI事業の強化について
2006年 1月 4日
2006年 社員向け年頭訓示
2005年12月15日
神奈川県知事より「水源林パートナー」感謝状の授与
2005年12月 8日
信頼性と低電力性に優れた45nm世代のLSI配線技術を開発
2005年12月 7日
45nmLSIの多層配線構造を最適化する技術の開発について
2005年12月 5日
55nmノードCMOSロジックプロセス技術の開発について
2005年12月 5日
ゲート長10nm未満トランジスタの性能を改善する新技術を開発
2005年11月21日
経営方針の策定について
2005年11月 9日
45ナノメートル・システムLSIプロセス技術の共同開発
2005年10月26日
代表取締役の異動に関するお知らせ
2005年10月26日
2006年3月期中間決算概要
2005年10月26日
2006年3月期通期業績予想の修正に関するお知らせ
2005年10月26日
2006年3月期(第4期)配当予想の修正に関するお知らせ
2005年 9月30日
ボランティア社員による通勤路の清掃を実施
2005年 9月30日
「CSRレポート2005」の発行について
2005年 9月29日
北京NEC集成電路設計有限公司の社名変更について
2005年 9月27日
役員の異動について
2005年 9月16日
当社ボランティア社員がやどりき水源林内で森林保全活動を展開
2005年 9月 2日
2006年3月期(第4期)配当予想の修正に関するお知らせ
2005年 7月27日
2006年3月期第1四半期決算概要
2005年 7月11日
ストック・オプション(新株予約権)の行使に際して払い込みをすべき金額等に関するお知らせ
2005年 7月 6日
2006年3月期第1四半期業績見込みおよび業績予想修正に関するお知らせ
2005年 7月 6日
ストック・オプション(新株予約権)の付与に関するお知らせ
2005年 7月 1日
中国における開発および販売体制を再編
2005年 7月 1日
かながわ水源の森林づくり事業への参加について
2005年 6月24日
役員の異動について
2005年 6月20日
65nm世代LSIを低消費電力化するデバイスおよび回路技術について
2005年 6月15日
45nm世代LSIに対応した分子細孔法による新層間絶縁膜の開発
2005年 6月 3日
社員がボランティア活動で多摩川の河川敷を清掃
2005年 5月27日
300ミリウエハーを用いた半導体生産ラインの竣工について
2005年 4月27日
DRAM混載LSIのマイクロソフト社 次世代Xboxプラットフォームへの採用について
2005年 4月26日
役員の異動について
2005年 4月26日
ストック・オプション(新株予約権)の付与に関するお知らせ
2005年 4月26日
2005年3月期 連結決算概要
2005年 4月15日
関係会社の人事異動に関するお知らせ
2005年 4月 1日
2005年度入社式について
2005年 4月 1日
関係会社の人事異動に関するお知らせ
2005年 3月25日
役員の異動について
2005年 3月 9日
90 nm世代のシステムLSIにおけるDRAM混載技術の開発について
2005年 2月25日
LSI間超高速インタフェース技術の開発について
2005年 2月14日
ラムバスからシリアルリンクインタフェイス技術を導入
2005年 2月10日
45nm世代以降の超高速SRAM技術
2005年 1月26日
2005年3月期第三四半期決算発表
2005年 1月 7日
第3四半期連結業績見込みに関するお知らせ
2005年 1月 4日
2005年社員向け年頭訓示
2004年12月17日
メタルゲート電極とHigh−Kゲート絶縁膜によるトランジスタの開発
2004年11月10日
ローズビル工場が米国環境保護庁より「WasteWiseプログラムチャンピオン」を受賞
2004年10月27日
2005年3月期中間決算概要
2004年10月22日
順延されていたボランティア社員による通勤路の清掃を実施
2004年10月15日
子会社社長人事異動のお知らせ
2004年10月 8日
業績予想に関するお知らせ
2004年10月 4日
半導体のショールームの開設について
2004年10月 1日
半導体組み立ておよび検査工程の事業統合について
2004年 9月24日
社員による通勤路の清掃を実施
2004年 9月24日
「第13回全国ボランティアフェスティバルびわこ」パネル展示について
2004年 9月15日
High-Kゲート絶縁膜トランジスタの実用化に向けた長期信頼性を実現
2004年 7月27日
2005年3月期 第1四半期決算概要
2004年 7月 1日
NECファブサーブ株式会社の設立について
2004年 6月25日
役員の異動について
2004年 6月21日
CSR推進体制の強化について
2004年 6月18日
65nmノード向けに高速・低電力化したVLSI多層配線技術
2004年 6月17日
65nmルールの次世代LSIにおける低消費電力化を実現する技術
2004年 6月 8日
システムLSIの開発期間を大幅に短縮するソフトウェア検証システムの開発について
2004年 5月27日
海外を含む全半導体生産拠点における国際規格「ISO14001」認証取得について
2004年 5月12日
2011年満期ユーロ円建転換制限条項付転換社債型新株予約権付社債の発行総額の確定に関するお知らせ
2004年 5月11日
半導体新工場棟の建設に着手
2004年 5月10日
2011年満期ユーロ円建転換制限条項付転換社債型新株予約権付社債発行に関するお知らせ
2004年 5月10日
2011年満期ユーロ円建転換制限条項付転換社債型新株予約権付社債の発行条件等の決定に関するお知らせ
2004年 4月27日
役員の異動について
2004年 4月27日
機構改革について
2004年 4月27日
会社分割による生産事業部門の分社化に関するお知らせ
2004年 4月27日
ストック・オプション(新株予約権)の付与に関するお知らせ
2004年 4月27日
2004年3月期 決算概要
2004年 4月 5日
NEC山形に新工場棟を建設
2004年 4月 1日
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分社による新会社設立およびグループ会社再編について