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ニュースリリース(トランジスタ・ダイオード)

ニュースリリース(トランジスタ・ダイオード)
2008年 4月15日
大電流対応の4チャンネル発光ダイオード駆動用ICの発売について
2008年 2月28日
中国最大規模の半導体・電子部品展示会「IIC China 2008」ヘの出展について
2008年 1月30日
モバイル機器の小型化に貢献する小型パッケージパワーMOSFETを発売
2007年10月12日
中国ハイテクフェア2007へ出展
2007年 8月22日
パワーMOSFETおよびシステム電源IC事業の強化について
2007年 7月11日
自動車向けパワーMOSFET8製品の発売について
2007年 4月10日
自動車向け大電流駆動パワーMOSFETの発売について
2006年12月 8日
パワーステアリングのモーター駆動回路などの設計を容易にできるパワーMOSFETのサンプル出荷開始について
2006年11月20日
現行機種に比べてチップ面積あたりの性能を約3割向上させたリチウムイオン二次電池向けパワーMOSFETの発売について
2006年10月30日
業界最高クラスの6.7mオームのオン抵抗値性能を実現し、液晶テレビのバックライト駆動回路の構築コストを削減できるパワーMOSFETの発売について
2006年 3月27日
世界最小クラスのリチウムイオン二次電池向けパワーMOSFETの発売について
2006年 3月 2日
業界最高水準の低オン抵抗性能を実現したパソコン搭載バッテリー用MOSFETの発売について
2005年10月21日
車載用インテリジェント・パワー・デバイスの発売について
2004年 5月21日
自動車電装用 超低オン抵抗パワーMOSFETの発売について
2003年12月12日
高速動作と低消費電力を実現する65nmCMOSトランジスタ技術の開発
2003年10月 9日
広温度範囲で最大80km通信できるCWDM用LDモジュール3機種の発売(NEC化合物デバイス株式会社)
2003年 9月30日
超低オン抵抗パワーMOSFET
2003年 9月19日
世界最薄の接合形電界効果トランジスタの発売
2003年 8月 4日
世界最小の薄型「リードレスパッケージ」の開発について
2002年10月 9日
マイクロ波デバイスのパラメータをWebサイトで提供し、応用回路の設計を大幅に効率化するサービスの開始について
2002年 3月26日
超小型パッケージに搭載した高性能パワーMOSFETの発売
2002年 3月26日
世界最小の実装面積を実現したマイクロ波ツイントランジスタの発売
2002年 3月 5日
業界トップクラスの低オン抵抗を実現した75V・100V耐圧のパワーMOSFETの発売
2002年 2月25日
世界最小サイズを実現した4回路内蔵フォトカプラの発売
2001年12月 5日
中空プラスチックパッケージを世界で初めて採用したW−CDMA基地局用トランジスタの発売
2000年12月11日
世界に先駆けたシリコンゲルマニウム・トランジスタの量産を開始〜シリコンゲルマニウムで世界最高レベルの性能を実現〜
2000年 7月 4日
DWDM通信システム用光源に最適なレーザダイオード・モジュールの発売
2000年 5月31日
インターネットを用いた半導体ディスクリート製品の販売サービスを開始
1999年12月 7日
高性能シリコン高周波モノリシックICの発売について


 
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