NECセミコンダクターズ山形の300ミリラインの生産能力を増強
〜2010年を目処に2万5千枚へ増強し、55ナノおよび40ナノ製品事業を積極的に推進〜
2008年5月27日 NECエレクトロニクス株式会社
NECエレクトロニクスはこのたび、100%子会社のNECセミコンダクターズ山形株式会社(社長:森岡 國男、本社:鶴岡市)の300ミリ生産ラインの能力を、現在の月産1万3千枚から2010年3月末までに同2万5千枚へ増強することにいたしました。これにより当社は、最先端の半導体である55ナノ製品や来年度以降に本格的な量産が予定される40ナノ製品群の開発を推進するとともに、その受注活動を積極的に展開いたします。
今回の能力増強策の施策として当社は、本年度約100億円を投資し、2009年3月までに現在の工場棟1階のクリーンルーム内(11,400平方メートル)の生産能力を月産2万枚にいたします。第二弾として来年度5千枚分の生産能力を増強いたしますが、現在の工場1階に隣接する空きスペース(5,750平方メートル)にクリーンルームを新たに構築し、装置を搬入します。増強後の生産ラインは、300ミリラインのシステムLSI生産工場としては、1ライン(17,150平方メートル)とし2万5千枚という世界最大クラスの能力を有することになります。また、当社では、完成する生産ラインの最終的な生産能力は、将来的には3万枚程度まで拡張が可能だと考えております。
今回、当社がNECセミコンダクターズ山形の生産能力増強を決めたのは、現在最先端製品といわれる55ナノメートル(ナノは10億分の1、以下nm、注)品をはじめとする先端製品の受注が急増していること、さらにその先の次世代製品である40nm製品についても設計・開発から生産までをNECエレクトロニクスグループ内で行うことにより、製品の品質や性能、供給能力などについてユーザーへ高い信頼性を提供すること、などの理由によるものです。
半導体製品は、プロセスの微細化を進めることにより、低消費電力化や高速化に加えコスト低減を図ることができるため、半導体メーカーは競ってプロセスの微細化を推進しております。最近では各システムLSIメーカーにおいて65nm製品や45nm製品の量産が開始され、さらに微細な32nmについてもプロセスの技術開発が進められております。
当社は2005年1月、NECセミコンダクターズ山形(当時NEC山形)に300ミリ生産拠点を建設するとともに、同社を最先端製品の生産拠点と位置づけ、当初5千枚の300ミリウエハで90nmの微細プロセスをはじめゲーム機、デジタルAV関連市場向けのシステムLSIを生産してまいりました。なかでもDRAMを搭載したシステムLSI(Embedded DRAM、以下eDRAM)は、最先端技術を要する製品として他社の追随を許さず、これまでに累計1億個を上回る出荷を達成するなど、業界でも屈指の生産拠点となっております。
当社はNECセミコンダクターズ山形に対し、これまでに総額約1,500億円を投入し、現在では300ミリウエハを月産1万3千枚の処理ができるまで生産能力を増強しておりますが、2007年度、同社の微細化対応を推進するために100億円を投入し、1万3千枚のうち5千枚は55nmに、また、その5千枚のうち2千枚は40nmに対応できる装置を搬入いたしました。これにより、NECセミコンダクターズ山形は、業界でも屈指の最先端半導体の生産拠点としての地位を確固たるものにしております。
現在NECセミコンダクターズ山形では、90nm製品の量産、55nmの製品の少量生産および40nm製品の試作活動をおこなっておりますが、最近になり当社のeDRAM製品の大型受注が相次ぎ、生産拠点の拡充が必要になってまいりました。また、40nm製品の受注活動において、生産拠点を示す必要も生じております。
このような状況のもと当社は、NECセミコンダクターズ山形の生産能力を拡充することで、ニーズに沿った能力増強と先端対応を行うことにしたものです。
当社は、増強スケジュールを着実に実行し、先端製品の量産体制を拡充するとともに、最先端の半導体生産の生産について方向性を示すことで、新規受注につなげたいと考えております。
NECセミコンダクターズ山形の概要は別紙をご覧ください。
以上
(注)当社は65nm世代の製品としては55nm品の受注活動を推進している。また一般に45nm世代の製品としては、40nmの製品を市場に投入する予定。
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