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主な仕様


項目

78K0R/KC3-L(44ピン)
(μPD78F100y注1:y = 0-3)

78K0R/KC3-L(48ピン)
(μPD78F100y注1:y = 1-3)

78K0R/KD3-L
(μPD78F100y注1:y = 4-6)

78K0R/KE3-L
(μPD78F100y注1:y = 7-9)

内蔵メモリ

フラッシュ・メモリ(Kバイト)

16

32

48

64

32

48

64

32

48

64

32

48

64

RAM(Kバイト)

1

1.5

2

3/2注2

1.5

2

3/2注2

1.5

2

3/2注2

1.5

2

3/2注2

メモリ空間

1 Mバイト

メイン・
システム
クロック

高速システム・クロック

X1(水晶/セラミック)発振,外部メイン・システム・クロック入力(EXCLK)
  2〜20 MHz:VDD = 2.7〜5.5 V, 2〜5 MHz:VDD = 1.8〜5.5 V

高速内蔵発振クロック

内蔵発振
  1 MHz±5 %, 8 MHz±1 %(ターゲット):VDD = 1.8〜5.5 V

20 MHz高速内蔵発振クロック

内蔵発振
  20 MHz±1 %(ターゲット):VDD = 2.7〜5.5 V

サブ・システムクロック

XT1(水晶)発振
  32.768 kHz(TYP.):VDD = 1.8〜5.5 V

低速内蔵発振クロック(WDT専用)

内蔵発振
  30 kHz(TYP.):VDD = 1.8〜5.5 V

汎用レジスタ

8ビット×32レジスタ(8ビット×8レジスタ×4バンク)

最小命令実行時間

0.05μs(高速システム・クロック:fMX = 20 MHz動作時)

0.125μs(高速内蔵発振クロック:fIH = 8 MHz(TYP.)動作時)

61μs(サブシステム・クロック:fSUB = 32.768 kHz動作時)

命令セット

・8ビット演算,16ビット演算
・乗算(8ビット×8ビット)
・ビット操作(セット,リセット,テスト,ブール演算)など

I/Oポート

合計

37

41

45

55

CMOS入出力

33

34

38

48

CMOS入力

4

4

4

4

CMOS出力

-

1

1

1

N-ch O.D入出力(6 V耐圧)

-

2

2

2

タイマ

 

・16ビット・タイマ:8チャネル
・ウォッチドッグ・タイマ:1チャネル
・リアルタイム・カウンタ(RTC):1チャネル

タイマ出力

8本(PWM出力:7本注3

RTC出力

2本
・1 Hz(サブシステム・クロック:fSUB = 32.768 kHz)
・512 Hzまたは16.384 kHzまたは32.768 kHz(サブシステム・クロック:fSUB = 32.768 kHz)

クロック出力/ブザー出力

-

1本

1本

2本

・2.44 kHz, 4.88 kHz, 9.76 kHz, 1.25 MHz, 2.5 MHz, 5 MHz, 10 MHz(周辺ハードウエア・クロック:fMAIN = 20 MHz動作時)
・256 Hz, 512 Hz, 1.024 kHz, 2.048 kHz, 4.096 kHz, 8.192 kHz, 16.384 kHz, 32.768 kHz(サブシステム・クロック:fSUB = 32.768 kHz動作時)

10ビット分解能A/Dコンバータ(AVREF = 1.8〜5.5 V)

10チャネル

11チャネル

11チャネル

12チャネル

シリアル・インタフェース

 

・CSI:2チャネル/UART(LIN-bus対応):1チャネル
・CSI:1チャネル/UART:1チャネル/簡易I2C:1チャネル

I2Cバス

-

1チャネル

1チャネル

1チャネル

乗除算器

16ビット×16ビット = 32ビット(乗算)
32ビット÷32ビット = 32ビット(除算)

DMAコントローラ

2チャネル

ベクタ割り込み要因

内部

24

25

25

25

外部

9

キー割り込み

6チャネル(KR0-KR5)

8チャネル(KR0-KR7)

リセット

端子によるリセット
・ウォッチドッグ・タイマによる内部リセット
・パワーオン・クリアによる内部リセット
・低電圧検出回路による内部リセット
・不正命令の実行による内部リセット注4

パワーオン・クリア回路

・パワーオン・リセット :1.61±0.09 V
・パワーダウン・リセット:1.59±0.09 V

低電圧検出回路

1.91〜4.22 V(16段階)

オンチップ・デバッグ機能

あり

電源電圧

VDD = 1.8〜5.5 V

動作周囲温度

TA = −40〜+85 ℃

注1

開発中

 2

セルフ・プログラミング機能使用時は、2 Kバイト

 3

設定によって出力数は変わります。

 4

FFHの命令コードを実行したときに発生します。
不正命令の実行によるリセットは、インサーキット・エミュレータやオンチップ・デバッグ・エミュレータによるエミュレーションでは発生しません。




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