実装面積を従来の1/2に縮小できる高速フォトカプラ5品種の発売について
2008年4月8日 NECエレクトロニクス株式会社
ＮＥＣエレクトロニクスはこのたび、実装面積を従来の半分に縮小したインバータ制御用小型フォトカプラ５品種を製品化し、本日より順次サンプル出荷を開始いたしました。
新製品は、出力が０．６アンペアのＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラ・トランジスタ）ゲート駆動カプラ「ＰＳ９３０１」および高速カプラ「ＰＳ９３０３」など４品種で、いずれも６ピンＳＤＩＰ（Shrink Dual Inline Package）と呼ばれるパッケージに封入されており、従来パッケージである８ピンＤＩＰ（Dual Inline Package）と比べて実装面積を約１／２に縮小できることが最大の特長となっております。また、海外の安全規格にも適合していること、高速カプラのうち「ＰＳ８３０２」および「ＰＳ９３１３」の２品種は業界で初めて毎秒１メガビットの高速通信用途において最大動作周囲温度１１０度までを保証していること、同「ＰＳ９３１７」は毎秒１０メガビットのさらなる高速での動作速度を実現していること、などの特長も有しております。
新製品のサンプル価格はＩＧＢＴゲート駆動カプラであるＰＳ９３０１は１６０円／個、また高速カプラであるＰＳ８３０２は８０円／個となっており、来月より量産体制に入りますが、２００８年１２月には５品種合計で月産５００万個を計画しております。
フォトカプラは、電気信号を光へ変換する発光ダイオードと光を電気信号へ変換する受光素子を１つのパッケージに封入し、パッケージ内で電気を絶縁する仕組みをもつ電子部品で、電源システムや高速通信システムなどの高速信号伝達に用いられる製品です。当社は２００６年の世界市場が８００億円程度のフォトカプラを化合物半導事業の中心分野のひとつと位置づけ、積極的に事業を展開してまいりました。マイクロ波半導体の高周波設計を応用した回路設計技術、高速バイポーラやアナログＭＯＳ、高耐圧ＢｉＣＭＯＳなど、当社独自の光シリコンプロセス技術、そして小型高密度パッケージ技術を駆使した製品を市場に投入した結果、この分野で世界シェア１３％を有する世界でも有数のサプライヤーになっております。
近年、フォトカプラを搭載するＦＡ機器や白物家電などの各種インバータ制御分野は、省エネルギーなどの環境意識の高まりを背景に、高機能化・高性能化と同時にシステム自体の小型化が求められており、その市場は２０１０年まで年間８％程度成長すると見込まれております。なかでもＦＡ機器市場においては、システムが２００ボルトから６００ボルトという高電圧環境下で使用されることもあるため、電気的絶縁の役割を担うフォトカプラには、海外安全規格の取得や絶縁特性の強化なども求められるようになってまいりました。当社は、新製品を積極的に市場に投入することによりフォトカプラのより一層の事業拡大を図り、２０１０年までに１７％の世界シェアを握り、業界トップの企業となることを目指しておりますが、新製品はこのようなユーザーニーズに応えるため開発された製品群であります。
新製品の主な特長は、次の通りとなっております。
（１）従来パッケージの約１／２の実装面積となる小型化を実現
耐熱強度を高める部材の採用や、パッケージ構成の見直しを行うことで、従来の８ピンＤＩＰパッケージと同等の半田耐熱性を保ちつつ、従来比実装面積が約１／２となる小型化を実現した６ピンＳＤＩＰパッケージを開発。
（２）海外の安全規格に対応
パッケージの小型化を実現しながらも、端子形状の工夫により、リードと呼ばれる金属端子のパッケージ平行側面の長さである沿面距離８ミリメートル、パッケージ内部の発光ダイオードと受光素子の絶縁距離０．４ミリメートルを従来品同様維持し、海外の各種安全規格に対応している。
（３）業界で初めて最大動作周囲温度を１１０度まで保証（ＰＳ８３０２、ＰＳ９３１３）
各種テストにより高温使用に適した樹脂材料の選択や、構成の最適化を行うことで、１Ｍｂｐｓの通信速度に対応する高速用途において、業界で初めて従来の１００度から１１０度へ保証温度を拡張している。
（４）一挙に製品を拡充
一挙に５品種の製品を拡充したことにより、多様なユーザーニーズを満たすことが可能。
当社は、新製品がＦＡ機器を小型化し、さらなる安全性を保証する画期的な製品と位置づけ、積極的な販売活動を展開してまいります。今後はより一層、多様なユーザーニーズを満たす製品の開発を推進するとともに、化合物デバイス事業の強化を図る計画であります。
新製品の仕様は別紙をご参照ください。
以上
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