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モバイル機器の小型化に貢献する小型パッケージパワーMOSFETを発売


〜従来の約1/3の実装面積で業界最高クラスの性能を実現〜



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2008年1月30日 NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクスはこのたび、ノートパソコンをはじめとするモバイル機器向けパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果型トランジスタ)の品種拡充の一環として、実装面積を従来の約1/3に削減可能な小型パッケージ2品種7製品の開発を終え、本日から順次サンプル出荷を開始することにいたしました。
新製品は、3.3mm×3.3mm×0.9mmの8ピンMini−HVSONパッケージ品3製品、2.8mm× 2.9mm×0.8mmの8ピンVSOFパッケージ品4製品で、業界最高クラスの低オン抵抗()性能を実現した上に、いずれも従来品に比べ実装面積を約1/3に削減できることが最大の特長となっております。また、Mini−HVSONパッケージ品においてはNチャネルトランジスタおよびPチャネルトランジスタの両極のトランジスタ製品を用意していること、VSOFパッケージ品ではNチャネルトランジスタ製品に加え、Pチャネルトランジスタを2つ、またPチャネルとNチャネルのそれぞれひとつずつを1パッケージに封入したデュアルトランジスタ製品を有し、幅広いユーザーニーズに対応できる品揃えを実現していること、などの特長も有しております。
新製品のサンプル価格はパッケージおよびオン抵抗値などの仕様により異なりますが、一例として8ピンMini−HVSONパッケージ品で、オン抵抗値が7.3ミリオームのNチャネルトランジスタ「μPA2800」が60円/個、8ピンVSOFパッケージ品でNチャネルトランジスタとPチャネルトランジスタのデュアル製品「μPA2590」が30円/個となっております。新製品の量産規模は、2008年4月より7製品合計月産500万個を予定しております。


ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話端末などのモバイル端末機器分野は、携帯電話端末にインターネット接続環境や音楽・動画再生、スケジュール管理などの機能が付加されるなど、機能が多様化し、応用範囲が拡大すると共に、市場も着実に拡大しております。それにともない、システム内で電圧を変換するDC/DCコンバータや電流をオン/オフするスイッチの役割を担うなどの機能を有するパワーMOSFETの需要も着実に拡大しております。特に耐圧が150V以下の低耐圧のパワーMOSFET市場は、2006年において2,767億円であった世界市場が、2009年には3,745億円へと、年率10%を越える成長が見込まれております。
当社は、プロセスの微細化によるチップの小型化や高耐圧と低オン抵抗値を両立する最先端のプロセス技術「スーパージャンクション構造」やマルチボンディング、ワイヤレスボンディングといったオン抵抗値の低減効果が高いパッケージ技術を駆使した製品を市場投入するなど、積極的な事業を展開してまいりました。その結果、特に低耐圧のMOSFETでは世界3位のシェアを有するなど、市場から高い評価を受けております。しかしながら、市場からは最終製品をより小型化するために貢献できる小型パッケージのMOSFET製品を求める声が大きくなっていることから、当社は新パッケージ品の市場投入を決めたものです。
新製品の主な特長は次の通りです。


(1)実装面積の小型化に貢献
新パッケージでは、チップと基板を接続するリードと呼ばれる金属端子の構造を改善。 リードをパッケージの横中央から取り出して基板側に曲げた「ガルウィング」構造と 呼ばれる形状の曲げ部分の一部をパッケージ内部へ入り込ませる「フラットリード」へ変更することで、端子間寸法の縮小を実現。これにより従来品と同程度の低オン抵抗性能を実現するのに、実装面積で従来製品比約1/3に削減が可能となっている。3.3mm×3.3mm×0.9mmの8ピンMini−HVSONパッケージでは、従来の5.1mm×6.0mm×1.8mmのSOPパッケージ品を置き換え、また、2.8mm×2.9mm×0.8mmの8ピンVSOFパッケージ品は従来の3.2mm×6.4mm×1.2mmのTSSOPパッケージ品を置き換えている。


(2)幅広いユーザーニーズに対応可能
Mini−HVSONでは、Nチャネルトランジスタで低オン抵抗7.3ミリオーム、9.6ミリオーム、Pチャネルトランジスタで同13ミリオームの3品種を、また8ピンVSOFパッケージではオン抵抗が13.2ミリオームおよび16.5ミリオームのNチャネルトランジスタおよび、Nチャネルトランジスタのデュアル品およびNチャネルトランジスタとPチャネルトランジスタを封入したデュアル品の4品種、合わせて7品種を準備しており、ユーザーの多様なシステムニーズに対応できる。


当社は、新製品が今後のモバイル機器向けのパワーMOSFETの中核を担う製品として大きな役割を果たすものと考えており、今後も積極的なラインナップ拡充と拡販活動を展開する予定であります。
新製品の仕様は別紙をご参照ください。


(注)オン抵抗
MOSFETがオン状態で動作した場合の抵抗値のこと。抵抗が小さくなればなるほど電流を多く流せる。


以上




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その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご承知ください。


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