NEC山形において40ナノの半導体製品を生産

〜本年度100億円を投じNEC山形を世界有数の最先端システムLSI工場に育成〜

ＮＥＣエレクトロニクスはこのたび、１００％子会社の山形日本電気株式会社（社長：佐藤奬（すすむ）、本社：鶴岡市、以下ＮＥＣ山形）において回路線幅４０ナノメートル（以下ｎｍ、ナノは１０億分の１）の加工技術を用いたシステムＬＳＩを生産することを決め、本年度１００億円を投じ、現在の３００ミリ生産ラインに５５ｎｍおよび４０ｎｍの最先端半導体製品の製造を可能とする液浸ステッパーなどの生産設備を設置いたしました。
４０ｎｍのシステムＬＳＩ製品とは、次世代の半導体である４５ｎｍ製品の微細化をさらに進めたもので、いわゆる４５ｎｍ世代の第二世代品とよばれる製品です。ＮＥＣ山形は現在、１か月13,000枚の３００ミリウエハを処理する能力を有しておりますが、今回の設備導入により、うち5,000枚で５５ナノ品および４０ｎｍ品の生産が可能となりました。5,000枚のうち2,000枚は４０ｎｍ品に対応可能であります。
４０ｎｍ品の生産開始時期は２００８年度末を、また生産品目としてはデジタル家電、携帯機器やゲーム機器向けシステムＬＳＩおよびメモリ混載のシステムＬＳＩ製品などを予定しております。
ＮＥＣ山形の５５ｎｍ品は、液浸露光技術とHigh-kゲート絶縁膜といった最先端の技術を採用しておりますが、このプロセスを４０ｎｍ製品でも採用しているため４０ｎｍ製品も生産設備を５５ｎｍと共有することが可能であることから、ＮＥＣ山形での４０ｎｍ製品の量産展開を行うことにしたものです。

半導体製品は、生産プロセスの微細化を進めることにより、低コスト化、高速処理化、および低消費電力化が図れるため、半導体メーカーは事業を有利に展開すべく、微細化を推進しております。システムＬＳＩメーカーにおいて現在、６５ｎｍ製品の量産や、一部４５ｎｍ製品の生産がはじまりましたが、生産プロセスの微細化に向けた競争は、今後ますます激化すると考えられております。
そのような状況のなか当社は、２００６年１２月から最先端製品である６５ｎｍ製品の量産を、また２００７年１０月から６５ｎｍ世代の第二世代品である５５ｎｍ製品のサンプル出荷を開始しております。当社の最先端製品は、特に低消費電力性能や高信頼性に優れているため、市場から好評を博しております。
一方ＮＥＣ山形は、２００５年１月に、３００ミリウエハ生産を開始して以来、これまでに総額約1,400億円程度の投資を行ない、１３０ｎｍ製品から現在では９０ｎｍおよび５５ｎｍ製品をデジタル家電製品市場などに向けて提供しております。

当社は、今後も４０ｎｍ製品の生産に必要な設備を順次ＮＥＣ山形に導入することにしており、 ４０ｎｍ製品の量産体制をいち早く確立したいと考えております。
ＮＥＣ山形の概要は別紙をご覧ください。