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NE3510M04の主な仕様


・推奨バイアス条件: VDS=2V, ID=15mA
・雑音指数(NF): 0.45dB TYP. @f=4GHz (参考値: 0.35dB TYP. @f=2GHz)
・雑音最小時付随利得(Ga): 16dB TYP. @f=4GHz (参考値: 19dB TYP. @f=2GHz)
・パッケージ: 4ピンフラットリード薄型小型ミニモールド(M04) (2.0x1.25x0.6(t) mm)



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