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Bluetooth用電力増幅器IC(パワーアンプ)の発売について


〜世界最小レベルの小型化、低消費電力化を実現〜



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2006年9月14日 NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクスはこのたび、ガリウム砒素半導体の品種拡充の一環として、Bluetoothクラス1対応機器向けの送信用電力増幅器IC(パワーアンプ)を製品化し、「μPG2314T5N」の名称で本日よりサンプル出荷を開始いたしました。
新製品は、2.4GHz帯で100m以上の無線通信を可能とするモノリシックマイクロウェーブ電力増幅器ICで、当社が独自で開発したヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタ(Hetero Junction Bipolar Transistor:HBT)プロセス技術()を採用しており、世界最小クラスとなる超小型/低背パッケージに搭載されていること、100mW出力時において約65mAと低消費電力化を実現していること、外部電圧の変動に対して安定した性能が得られること、などの特長を有しております。
新製品のサンプル価格は100円/個となっており、量産規模としては、来月より月産10万個でスタートし、2007年には同100万個を予定しております。また新製品は、大手Bluetoothチップセットメーカーである英国CSR社(本社:Cambridge)のリファレンスデザインに採用されています。


Bluetoothは、携帯電話使用時に手を直接使わずに会話可能とするハンズフリーのシステムや、携帯電話を家庭内のアクセスポイント(親機)を介してコードレスホンの様に一般回線への接続を実現するOne Phone System、ワイヤレスヘッドフォンやワイヤレススピーカーなど短距離音声データを送受信するシステムとして広く普及しております。1mW出力時に10mの通信を実現するBluetooth のクラス2送信システムは、通常1つのシリコンICで構築可能となっておりますが、送信距離が100m以上のクラス1規格対応のシステムを構築するためには、シリコンICに加えガリウム砒素のパワーアンプを組み合わせてシステムを構築することになります。新製品はこの目的のために開発された製品で、当社独自のプロセスを採用することにより、世界最小クラスの超小型化パッケージに封入したパワーアンプであります。
新製品の主な特長は次の通りとなっております。


(1)

世界最小クラスのパッケージに搭載
6ピン超小型SONパッケージ(縦1.5o、横1.5o、厚み0.375o)に搭載しているため、セットの小型化に貢献可能。また、パッケージは、環境保全を配慮し鉛フリーを実現。

(2)

低消費電力化を実現
消費電力が100mW出力時に65mAと世界最小クラスの低消費電力化を実現している。

(3)

基板実装時に特性の実現が容易
マイクロ波用電力増幅器は通常外部の整合回路が複雑なため、基板に実装されると製品の特性を十分満足できないことがあるが、電源電圧変動、周囲温度変動に対して特性を安定させるバイアス回路を内蔵しているため、外部の電源電圧や温度変動に対して、実装後も安定した性能が得られる。


新製品の発売により当社は、拡大しているBluetooth市場においても業界をリードできるものと考えており、これらを必要とする市場に向けて積極的な販売活動を展開することにしております。また、今後開発活動を推進することにより、さらなる品種拡充を図っていく所存です。
新製品の仕様は別紙をご参照下さい。


以上


(注)

ヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタプロセス
バンドギャップの異なる半導体接合を利用したバイポーラ・トランジスタ。ベース層にガリウム砒素(GaAs)、エミッタ層によりバンドギャップの広いインジウム・ガリウム・リン(InGaP)を用いることで、優れた高周波特性を実現することができる。





ニュースリリースに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。
その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご承知ください。


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