(1)

50μmの狭いピッチでバンプを実現し100Gbpsのデータ伝送を実現
シリコン同士を接続する手法を採用したことにより、熱膨張係数の異なるシリコンと樹脂基板を接続する従来の方法に比べて信頼性高く微細加工ができるようにした。
これにより、従来に比べて約1/4の狭ピッチとなる50μm間隔でバンプを形成することができ、同一チップ面積に従来の4倍のバンプを形成できる。この結果、従来の10倍以上となる100Gpsの高速でデータの伝送が可能となる。
また、鉛フリーのハンダ接続を採用しており環境負荷も低減している。

(2)

大容量メモリとのSiPを可能にする極薄フィードスルーインターポーザーを開発
従来のパッケージ内配線の約半分となる線幅15μmの銅めっき配線と7μm厚のポリイミド樹脂による「スーパーコネクト」技術を用いて、厚さわずか15μmのインターポーザ（FTI: Feedthrough Interposer）を開発。
これにより、50μmピッチのLSI配線と500μmピッチのパッケージ外部端子という寸法差が二桁以上もある配線同士を接続できるため、ロジック−メモリ間の配線をパッケージ端子まで引き出すことができ、同時に50μmの狭ピッチのバンプ接続が実現できる。

(3)

ウェハアセンブリ技術の開発により実現
スーパーコネクト配線を施したシリコンウェハ上にまずメモリチップを搭載し、それを封止した後にシリコン基板を除去して裏面側にロジックチップを搭載して、その後に最終端子であるBGAを形成するウェハアセンブリ技術を開発した。
この技術により、チップとスーパーコネクト配線との接続のみで最終パッケージの機能を実現でき、LSI製造設備を用いて組立工程の作業まで実現できるため、効率的な生産が可能となる。