携帯機器でハイビジョン並みの高画質動画処理が実現できる半導体パッケージ技術「SMAFTI^TM」の開発について

〜ロジックLSIと大容量メモリを50ミクロンの狭ピッチバンプで接続〜

クリックすると拡大します

ＮＥＣエレクトロニクスとＮＥＣは共同で、ロジックLSIとチップサイズの大きいギガビットクラスの大容量DRAMを同一パッケージに縦方向に積上げて省スペースに収容し、従来に比べて10倍以上高速な100ギガビット/秒(Gbps)という速度で両者間を通信できるシステム・イン・パッケージ（SiP)技術「SMAFTI^TM」(スマフティ)を開発いたしました。また、この「SMAFTI^TM」は複数のチップをLSI製造工程でパッケージ化できる技術でもあり、LSIからパッケージまでのトータル製造プロセスを容易にするものであります。

「SMAFTI^TM」は主に、(1)ロジックLSIと大容量メモリを微細な突起電極（バンプ）により50ミクロン（μm）ピッチで接続し、高速データ伝送と低消費電力、省スペースを実現する超狭ピッチ接続技術、(2)「スーパーコネクト」技術により、50μmから500μmピッチまでの寸法差を吸収し、高密度配線を実現する、厚さわずか15μmのフィードスルーインターポーザー（FTI）、(3)複数のチップをLSI製造設備でパッケージの大部分まで製造できるウェハアセンブリ技術、などの開発により実現されました。

この「SMAFTI^TM」を採用したシステムLSIを用いると、携帯電話を始めとする大きさや消費電力に制限のある携帯機器でハイビジョン並みの高精細な動画像処理が実現できるようになります。

ＮＥＣエレクトロニクスでは「SMAFTI^TM」を、2007年度第一四半期を目処に製品化する計画であります。

近年、ユーザーにおいては、デジタルビデオ画像、地上デジタル放送、動画を高速で処理するゲームなどを携帯機器で実現したいという要望が強まっております。この機能を実現するLSIとしては現在、メモリをロジックLSIと同じチップ上に作り込むシステム・オン・チップ(SoC)という技術が用いられております。しかし、SoCには、開発コストが高く、搭載できるメモリの容量がチップサイズに限定されてしまうという問題点があります。そしてこの問題を解決するために、経済的で柔軟にシステムLSIが開発できるパッケージ技術の開発が求められておりましたが、従来のSiP技術ではインターポーザと呼ばれる配線基板が厚く、かつチップがワイヤで接続されたり、チップ同士が横置きに並べて配置されたりするためチップ間の信号伝送速度に制限があったり、パッケージ面積が大きくなってしまうという課題がありました。
ＮＥＣエレクトロニクスとＮＥＣはかねてより、これらの問題を解決するため研究開発を進めてまいりましたが、このたび別々のロジックLSIと大容量メモリを距離約60um、ピッチ50umで3次元的に接続できる独自のSiP技術である「SMAFTI^TM」の開発に成功いたしました。

ＮＥＣエレクトロニクスとＮＥＣでは「SMAFTI^TM」が、システムLSIの設計、製造を大幅に効率化し、ユーザーの快適な装置利用を実現するものと確信しているため、今後とも積極的に研究、開発活動を継続する計画であります。

「SMAFTI^TM」の特長については別紙をご参照下さい。