当社のＤＲＡＭ混載ＬＳＩが任天堂の新しい家庭用ゲーム機「Wii_TM（ウィー）」に搭載

ＮＥＣエレクトロニクスのＤＲＡＭ混載ＬＳＩが任天堂株式会社（代表取締役社長：岩田聡氏、本社：京都市）の新しい家庭用ゲーム機「Wii」に採用されることになりました。
今般採用が決まった当社のＤＲＡＭ混載ＬＳＩは、「Wii」の高度なグラフィックスを提供するシステムＬＳＩで、ＮＥＣ山形（本社：鶴岡市）の３００ミリ生産ラインで製造されます。

ＤＲＡＭ混載システムＬＳＩは、データを格納するメモリ（ＤＲＡＭ）回路とデータを処理させるロジック回路が同一チップ上に形成されるため、データを高速で処理させることが必要なシステム、例えば画像処理システム、を構築するには最適なシステムＬＳＩといわれております。
ＤＲＡＭ混載のシステムＬＳＩを実現するためには、ロジックのプロセスに三次元構造のＤＲＡＭプロセスを融合することが必要となり、その製品化には高い技術が要求されます。当社では標準のロジックプロセス構造にスタック型のキャパシタを形成することによりＤＲＡＭ混載のシステムＬＳＩを実現いたしました。
標準ロジックプロセス構造の上にスタック型のキャパシタを形成するには、２つの容量電極間に高誘電率素材を挟む技術、および小面積で多くの電荷を保持した上で電気の漏れに負けないチャージを維持できるキャパシタを形成する技術、の確立が不可欠であります。当社は、�@ＤＲＡＭ部のメモリセルの電極にメタルを用いたメタル・インシュレータ・メタル（ＭＩＭ）構造を採用し抵抗値の低減を図ることによりデータの処理スピードを向上させたこと、�AＤＲＡＭ部トランジスタのゲート、ソース、ドレイン上部にもコバルトシリサイドを用いることによりトランジスタの駆動能力を向上させたこと、および�B容量膜の材料にジルコニウムオキサイトを採用したことで単位面積当たりの容量増大に成功したこと、などの技術開発により、９０ナノ世代のＤＲＡＭ混載のシステムＬＳＩの実用化に成功いたしました。

当社は、最先端プロセスを用いた９０ナノのＤＲＡＭ混載品においては１００Ｍビットを越す高速大容量ＤＲＡＭマクロや最大１００Ｍゲートのロジックを搭載する高集積のシステムＬＳＩを実現し、世界市場に向けて出荷する一方で、６５ナノ世代となる５５ナノ品にもＤＲＡＭ混載技術を展開する開発活動を積極的に推進しております。

当社では当社のシステムＬＳＩが任天堂の「Wii」に採用されたことで、当社のＤＲＡＭ混載技術が高く評価されたものと考えており、今後もこれらのシステムＬＳＩを必要とする応用分野に向けて、積極的な販売活動を展開する所存です。

（注）Wiiは任天堂の商標です。

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