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業界最高水準の低オン抵抗性能を実現したパソコン搭載バッテリー用MOSFETの発売について
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ＮＥＣエレクトロニクスは、2.6ミリオーム(mΩ)という業界最高水準の低オン抵抗性能(注)を実現した機種など、ノート型パソコンのバッテリーに搭載されるMOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)2機種を製品化し、本日よりサンプル出荷を開始することにいたしました。
新製品は、リチウムイオン二次電池の過電流による発熱や爆発などを防止する保護用として開発されたものであり、業界最高水準の低オン抵抗性能を実現したMOSFET 「μPA2731UT1A」および最大3.1mΩという優れたオン抵抗値性能と低コスト化を両立したMOSFET「μPA2732UT1A」の2機種であります。
新製品を用いると電池メーカーは、発熱による温度上昇を防止しながら電流の大容量化ができる、ノート型パソコンに最適なリチウムイオン二次電池を容易に構築することが可能となります。
新製品のサンプル価格は「μPA2731UT1A」が150円、「μPA2732UT1A」が100円であります。当社では両機種に関する量産体制を既に整えており、2機種合計で月産300万個規模の量産を行う計画であります。
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新製品では、(1)0.25ミクロン(μm)の設計ルール「UMOS-4」、(2)リード線とチップの接続部分に抵抗の小さい銅製のプレートを用いたことに加えて、チップを載せるリードフレームを樹脂で覆わずに基板と直接接続することで放熱効果を上げられる新パッケージ形状「8ピンHVSON」、などを採用したことにより次のことが可能となります。 |
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(1) |
業界最小水準のオン抵抗値2.6mΩを実現 |
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(2) |
放熱性に優れ、4.6ワット(W)の電力を許容できる |
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(3) |
1ミリメートルの薄型パッケージを実現 |
近年、ノート型パソコンにおいては、テレビ放送の受信機能、DVDを始めとする大容量動画への対応機能、高精細な大画面の搭載による高度な表示への対応機能など、高機能化による消費電力の増大が急速に進んでおり、電池メーカーやエンドユーザーからは、安全性と高機能を両立する製品への要望が強まっております。
当社ではこのような市場の流れに対応するため、業界最高水準の低オン抵抗性能の実現により、発熱を抑え効率よく大電流化を実現するP型MOSFET2機種を製品化いたしました。
ＮＥＣエレクトロニクスでは新製品が電池メーカーの新製品開発の効率化と、パソコンユーザーの快適な利用環境を実現するものと確信しているため、MOSFETにおける開発活動を継続する計画であります。また、DC/DCコンバータ向けに最適なN型MOSFETの製品化など、製品ライアップの拡充も順次行う予定であります。
新製品の主な仕様については別紙をご参照下さい。
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オン抵抗値： |
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ニュースリリースに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。
その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご承知ください。
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