スイッチの半導体化により電子制御ユニットの小型化、軽量化を実現できる車載用インテリジェント・パワー・デバイスの発売について

新製品の主な特長は次の通りであります。

(1)

スタック型MCP構造を採用し、小型、低価格を実現
抵抗が小さく発熱量が少ないことで多くの実績を有するUMOS構造(トレンチセル型構造)の電界効果トランジスタ(FET)チップと、これを制御するコントロールチップを、縦方向に積み重ねたスタック型マルチ・チップ・パッケージ(MCP)を採用した。
この技術により、ヘッドライトなどの車載装置に最適な10ミリオーム(mΩ)のオン抵抗値(注)を、電子部品の標準化を推進する米国の団体「JEDEC」が規格化した、ピン(外部接続端子)数5本の「TO-252」という小型のパッケージで実現している。
また、FETチップとコントロールチップをそれぞれに最適な工程で製造して組み合わせることができ、両者をワンチップ化した場合に比べて、低価格を実現できる。
これらの技術により実現したインテリジェント・パワー・デバイスを用いると、少ない発熱で大きな電流を流せる上に、従来のリレーを用いた場合に比べて、ECUを小型化でき、車内の部品搭載部分を省スペース化することで、居住スペースの拡大に貢献できる。また、リレーでは避けることができない接点の摩耗を防止でき、高い信頼性も実現できる。

(2)

出力を制御しノイズを削減できる
出力を調整し、急激な電流の変化を抑制する機能を搭載している。
これにより、急激な電流の変化が原因で発生し、車載装置の正確な稼動に悪影響を及ぼすノイズを削減することができる。

(3)

出力状態をモニタできる
通常時は流れている電流をモニタするカレントセンス機能を搭載している。また、過大電流の通電や過剰な発熱などの異常を検知するダイアグ機能を搭載している。
これらにより、出力の状態を正確に把握でき、異常の発生を検知できる。

(注)

オン抵抗値:
MOSFETがオン状態で動作した場合の抵抗値のこと。抵抗が少なくなればなるほど電流を多く流せる。