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「V850E2/ME3」の特長

(1)

高性能CPUコア「V850E2」を搭載
200MHz動作時に400MIPSの高速処理を実現する「V850E2」CPUコアを搭載しており、高性能なリアルタイム制御を必要とするアプリケーションに最適。

(2)

168Kバイトの命令RAM + 8Kバイトの命令キャッシュ搭載
高速実行可能な命令RAM(1クロックあたり64ビット・アクセス)を168Kバイト搭載し、高速なリアルタイム処理を実現可能。
また、命令RAMとは別に8Kバイトの命令キャッシュ(4wayセットアソシアティブ方式)を搭載しており、外部メモリ上のアプリケーション・ソフトの高速実行が可能。更に、1クロック・アクセス可能な高速データRAMを32Kバイト搭載し、スタック、ワーク用メモリとして高速操作を実現すると共に、8Kバイトのデータ・キャッシュ(4wayセットアソシアティブ方式)をオンチップに搭載。

(3)

@

豊富な周辺機能を搭載
USB2.0のファンクション機能(7つのエンドポイント構成)のほか、タイマ、シリアル・インタフェース、10ビットA/Dコンバータ、PWM出力などの豊富な周辺機能を搭載することで、多様なシステム全体を1チップで制御でき、幅広いアプリケーションに対応可能。また、部品数の削減によるシステム・コスト低減を推進。

A

スペクトラム拡散機能付きクロック・ジェネレータ(SSCG)機能を搭載
高速化に伴う不要輻射ノイズ対策用に、EMIノイズのピーク低減に効果的なスペクトラム拡散機能付きクロック・ジェネレータ(SSCG)機能を搭載。SSCG機能未使用時に比べ、EMIノイズのピーク値を10dB以上改善することができ、ノイズ対策に要する時間、コストを大幅に削減することが可能。

(4)

現行機種とピン互換性を有している
現行機種とピン互換性を有しており、現行機種(V850E/ME2)で用いている基板をそのまま利用できる。また、タイマや高速通信用のインタフェースなどの周辺機器に加えて、搭載して用いるソフトウェアに関しても現行機種との互換性を実現している。
これにより、既存の資産を有効に活用した高機能なシステムを短期間かつ経済的に構築できる。

(5)

外部メモリ直結インタフェース
外部メモリ・インタフェースは、26ビット・アドレス・バス/32ビット・データ・バスのセパレート構成になっている。また、512Mバイトのリニア・アドレス空間をサポート。通常のSRAM、ROM用インタフェースの他に、シンクロナスDRAM、ページROMなどに直結できる各種メモリ・コントローラを搭載。

(6)

オンチップ・デバッグ機能
オンチップ・デバッグ機能をサポートするデバッグ・コントロール・ユニットを内蔵。JTAGをベースとする専用デバッグ・インタフェースを介して接続するエミュレータを準備。また、サードパーティーとの協業により、200MHzの高速命令実行トレースを可能にする高速リアルタイム・デバッグ・ツールの提供を予定(2005年度上期中)。



「V850シリーズ」の製品一覧

 

CPUコア

製品名(愛称)

ハイエンド展開

V850E2コア

V850E2/ME3

V850E1コア

V850E/Mxx

ミドルレンジ展開

V850コア
V850ESコア

V850/Sxx
V850ES/xxx

ロウエンド展開

V850ESコア

V850ES/Kxx

ASSP(特定用途一般顧客向け半導体)

V850Eコア
V850ESコア

V850E/Ixx
V850ES/Fxxなど


*

「V850E2/ME3」は、ハイエンドの「V850シリーズ」製品群の中でも最上位に位置する製品です。

(備考)

文中で言及した製品名やサービス名は全て、それぞれの所有者に属する商標または登録商標。



「V850E2/ME3」の主な仕様

○製品名「μPD703500GM」

○CPU機能
 ・32ビットRISCアーキテクチャ 「V850E2」CPUコア
 ・最小命令実行時間     5.0ns    (200MHz動作時)
 ・演算性能         400MIPS    (200MHz動作時)

○内蔵メモリ
 ・命令キャッシュ: 8Kバイト、4ウエイ・セットアソシアティブ方式
 ・データ・キャッシュ:8Kバイト、4ウエイ・セットアソシアティブ方式
 ・命令RAM  : 168Kバイト
 ・データRAM : 32Kバイト

○外部バス・インタフェース
 ・512Mバイト外部メモリ空間: アドレス26ビット、データ32ビット
 ・8ビット/16ビット/32ビット・バスサイジング機能
 ・チップ・セレクト制御機能
 ・プログラマブル・ウエイト機能
 ・アドレス・セットアップ・ウエイト挿入機能
 ・アイドル・ステート挿入機能
 ・バス・ホールド機能
 ・各種メモリ・インタフェース
  −DRAMコントローラ   シンクロナスDRAM
  −ROMコントローラ    ページROM
  −SRAMインタフェース   SRAM、I/O、ROM

○DMAコントローラ
 ・4チャネル構成
 ・転送単位 :8ビット、16ビット、32ビット
 ・最大転送回数 :16,777,216回
 ・転送タイプ :2サイクル転送、フライバイ転送
 ・転送モード :シングル転送、シングル・ステップ転送、ブロック転送
 ・転送対象 :外部−外部、内部−外部、内部−内部

○内蔵周辺I/O
 ・割り込みコントローラ: 99要因 (NMI含む)
 ・16ビット・タイマ/カウンタ : 6チャネル
  (4チャネルはキャプチャ動作可能)
 ・16ビット・インターバル・タイマ: 4チャネル
 ・2相エンコーダ入力用16ビット・アップ/ダウン・カウンタ: 2チャネル
 ・シリアル・インタフェース
  −CSI/UART兼用 : 1チャネル (16/8ビット x 16段FIFO構成)
  −CSI : 1チャネル (16ビット x 16段FIFO構成)
  −UART : 1チャネル (8ビット x 16段FIFO構成)
  −専用ボーレート・ジェネレータ :2チャネル
 ・USB2.0ファンクション・コントローラ
  (Endpoint x 7 構成、トランシーバ付き、フルスピード対応)
 ・10ビット分解能A/Dコンバータ : 8チャネル
 ・16ビットPWM機能 : 2チャネル
 ・クロック・ジェネレータ
  −SSCG (Spread Spectrum Frequency Synthesizer Clock Generator)
  −外部周波数の20逓倍による内部クロック発生
  −省電力モード :IDLE、HALT
 ・汎用入出力ポート :入力専用1本、入出力兼用77本

○動作周波数
 100 〜 200MHz

○動作温度
 −40 〜 +85℃

○電源電圧
 ・内部ユニット用電源 :1.5V
 ・外部端子用電源 :3.3V

○消費電力 (typ.)
 ・530mW (200MHz、内部1.5V、内蔵命令RAM実行時)

○プロセス技術
 ・0.15μm アルミ6層配線CMOS

○素子数
 ・約2000万トランジスタ (内蔵RAM、命令キャッシュを含む)

○パッケージ
 ・176ピン・プラスチックQFP
  (本体 :□24mm、ピンピッチ0.5mm)



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その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご承知ください。




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