セミカスタムLSIのユーザー要求に対応するために製品系列を拡充
〜150ナノメートルプロセスのゲートアレイ市場を開拓〜

2005年1月25日

NECエレクトロニクス株式会社

ＮＥＣエレクトロニクスはこのたび、セミカスタムLSIユーザーに幅広くソリューションを提供することを目的として、150ナノメートル(nm)プロセスのゲートアレイを製品化し、同市場を開拓することにいたしました。150nmのゲートアレイにより当社は、動作速度200MHzの性能で、年間数千個から10万個程度の所要がある半導体製品を短納期かつ低開発費でユーザーに提供できることになります。

当社のセミカスタムLSIは、多機能、高性能のセット製品を実現する「セルベースIC」、セルベースICに比べ顧客の初期投資を低減できる「ストラクチャードASIC」で、特に通信関係のユーザーに好評を博しているISSP(Instant Silicon Solution Platform)、そして短納期かつ開発費を極力低減することに主眼をおいた「ゲートアレイ」、の3種類の半導体ソリューションを提供することで、当社の戦略分野のユーザーの幅広い要求に対応しております。
セルベースICの分野では、当社は半導体のプロセスが世代交代するたびに製品を投入しており、現在では最先端の90nmプロセス製品をはじめ、150nmなどの製品がセット製品の高性能化、低消費電力化を実現するソリューションとして採用されております。
ストラクチャードASICであるISSPは、セルベースICよりも初期投資の低減を望むユーザー向け製品シリーズとして、当社が2002年に150nm品を市場に初めて導入いたしました。現在では150nm品とあわせ90nm製品も通信機器分野を中心に特に北米地区で人気を博しております。
またゲートアレイは伝統的なセミカスタムLSIとして、0．5ミクロン(μm)、0．35μm、0．25μm製品を市場に投入しており、低価格の普及品として幅広い分野で採用されております。特にゲートアレイの分野では当社は世界No.1のシェアを確保しています。

このように当社は長期的戦略のもと幅広いセミカスタムソリューションをユーザーに提供してまいりましたが、特にセルベースICやISSPほどの高性能化を要求しない応用分野で、短納期かつ開発費用の低減が図れる150nmクラスの半導体ソリューションが求められるケースが依然として大きな市場として存在しております。
このような市場からの要求に応えるため、当社は様々な可能性を検討してまいりましたが、このほど、当社のゲートアレイ事業で蓄積した技術力および製品ノウハウ、充実した設計環境、など事業環境が整っていることから、本年4月より150nmのゲートアレイ「CMOS-12M」のサンプル出荷を開始することにしたものであります。

新製品「CMOS-12M」は当社の150nmプロセス技術を駆使したCMOSゲートアレイで、（1）最大200万ゲートまで対応できること、（2）動作速度は200MHz程度となっていること、（3）SRAM、APLLおよびDLLマクロが搭載されていること、などが主な特長となっております。新製品のサンプル価格は税込みで1,000円から(注)であります。量産の開始は本年7月を計画しており、その規模としては2005年度末に月産50万個を見込んでおります。

当社ではセルベースIC、ISSPおよびゲートアレイの3本柱で150nmクラスの半導体製品を提供することによって従来にも増してユーザーからの幅広い要求にも応えられるものと考えており、新しい市場の獲得に向けて積極的な販売活動を展開していくことにしております。

なお、ＮＥＣエレクトロニクスでは、1月27日から28日まで神奈川県横浜市の横浜国際平和会議場（パシフィコ横浜）で開催されるデバイス技術、組込みソフトウェア技術に関する展示会「EDSフェア2005」に「CMOS-12M」を出展いたします。

新製品の仕様は別紙をご参照ください。