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このAMB仕様のLSI(以下AMB-LSI)はDRAMモジュールに搭載され、DRAMモジュール上のDDR2 DRAMと、DRAMモジュール外にありDRAMモジュールを制御するメモリコントローラLSIの仲介をするものであり、複数のDRAMモジュールとメモリコントローラLSIを直列型に繋げるようにするものであります。

この直列方式で接続をすると、高速なデータ転送を実現した際にメモリコントローラLSIとDRAMモジュールのインタフェースの負荷が増大してしまいDRAMモジュールの記憶容量を増大できないという現行のDRAMモジュール「レジスタード・デュアル・インライン・メモリ・モジュール(レジスタードDIMM)の問題が解決でき、同DIMMに比べて、①24倍にあたる最大192ギガビットの大記憶容量、②4倍にあたる40ギガビット/秒(Gbps)の高速データ通信、の二つを両立できるDRAMモジュール「完全バッファ型デュアル・インライン・メモリ・モジュール(FB-DIMM;注2)を実現することが可能となります。
このFB-DIMMを応用すると、サーバの高速/大容量化を大きく促進することができ、一層多様で高度なアプリケーションを利用できるようになります。また、FB-DIMMはDDR型DRAMの進化に併せて、将来的にはパソコンなどにも応用でき、その高速/大容量化に貢献すると期待されております。

今回のLSIは、ＮＥＣエレクトロニクスが長年にわたって培った高速シリアル伝送を実現するコア技術「SerDes(サーデス)」のノウハウを活用し、最大4.8Gbpsという広帯域なデータバス技術を開発したことにより実現いたしました。

新製品のサンプル価格は2,800円(1万個ロット時)であります。量産の開始時期としては2004年度第四四半期を予定しており、量産の規模は月産100万個を計画しております。

近年のDRAMにおいては、その処理能力が著しく進化し、最大転送周波数が800メガヘルツ(MHz)のDDR2型から、最大1.6GHzのDDR3型へと今後も一層の改良が行われる見込みであります。また、このDDR方式の高速なDRAMを複数搭載したDRAMモジュールはサーバなどに搭載され、重要な役割を担っております。
このDRAMモジュールにおいては従来、搭載されたDRAMをメモリコントローラLSIと並列型に直接接続する方式が採用されておりました。しかし、この方式では、DRAMの高性能化に併せてデータ伝送速度が上がると、インタフェースの負荷が増えてしまい、DRAMモジュールの記憶容量を制限しなければならないという問題があり、市場からは、大容量と高速データ伝送を両立できる製品が求められておりました。

ＮＥＣエレクトロニクスでは今回の新製品が、サーバの性能を大幅に向上させ、その用途を一層多様化させるものと考えており、将来のパソコンへの展開も視野に入れ、今後も積極的な開発活動を継続する計画であります。

なお、ＮＥＣエレクトロニクスでは、9月7日から米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される展示会「インテル・デベロッパ・フォーラム(IDF) 」にて、今回の新製品の展示を行っております。

新製品の主な仕様については別紙をご参照下さい。

以上

(備考)	サンプル価格は消費税を含んだ価格。
(注1)	JEDEC: Joint Electron Device Engineering Councilの略。
(注2)	FB-DIMM Fully-Buffered dual inline-memory modulesの略。

＜この発表に関するお客さまからの問い合わせ先＞

NECエレクトロニクス
半導体ホットライン

電話：(044)435-9494（直通）

e-mail: info@necel.com

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