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株式会社東芝、NECエレクトロニクス株式会社、富士通株式会社は、バースト機能を搭載した擬似SRAM(*1)のインタフェース共通仕様の第3弾「COSMORAM Rev.3」の制定について合意いたしました。本共通仕様にもとづく擬似SRAMの製造および販売は、3社がそれぞれ独自に行い、2004年度末から各社より順次提供する予定です。

3社は、フラッシュメモリとSRAMを混載するスタック型マルチ・チップ・パッケージ(以下、MCP)仕様の共通化に取り組み、1998年9月に仕様共通化を完了しております。また、2002年3月には、ページモード機能搭載の擬似SRAMおよびスタック型MCPについて、2003年2月には、バースト機能搭載の擬似SRAMおよびスタック型MCPについて、それぞれ共通インタフェース仕様に合意したことを共同発表しております。これにより、高速で大容量化が容易な擬似SRAMにおいて、それまで不十分だった3社のインタフェース仕様に互換性ができ、お客様は効率的に3社の擬似SRAMをご使用いただけるようになりました。

今回はそれに続き、バースト機能を搭載した擬似SRAMの追加仕様を共通化いたします。今回追加で共通化されるバースト機能は、従来品と互換性を保ちつつ更なる性能および利便性の向上を可能とするため、より高速処理を必要とする今後の携帯電話や携帯情報端末などに最適な機能です。

これにより、お客様は、従来のCOSMORAM準拠の擬似SRAMと同様に、今後も基板設計の共通化が図れるため、製品ごとの個別設計が不要になり、設計期間の短縮や設計効率の大幅な向上を実現できます。また、各社の仕様が共通化されるため、互いにセカンド・ソースとなり、お客様に対し、製品の安定供給が図ることができます。

COSMORAM仕様で追加で共通化した主な項目は次の通りです。
・データバス幅の拡張
・アドレス・データのマルチプレックス化
・真理値表(*2)
・モード・レジスタ(*3)オプションの追加
出力ドライバーサイズの選択
モードレジスタ読み出し機能

【用語説明】
(*1)	擬似SRAM：
	大容量化とビットコスト低減を実現するために、DRAMのセルアレイを用いております。お客様が容易にシステム設計できるように、外部インタフェースは、非同期型SRAMと互換性をもたせております。高機能化に伴いワーク・メモリの大容量化が急速に進んでいる携帯電話に最適なメモリです。

(*2)	真理値表：
	デバイスの動作モードとそれを設定する外部コントロール信号の組み合わせを規定した表です。

(*3)	モード・レジスタ：
	制御コードを保持する内部レジスタで、外部からデバイスの動作モード設定を行います。

【商標】記載されている会社名および商品名は各社の商標または登録商標です。

以上

＜この発表に関するお客さまからの問い合わせ先＞

株式会社東芝
セミコンダクター社モバイルメモリ営業担当

電話：03-3457-3401（直通）

e-mail: semicon@toshiba.co.jp

NECエレクトロニクス
半導体ホットライン

電話：044-435-9494（直通）

e-mail: info@necel.com

富士通株式会社
LSI事業本部第一システムLSI事業部
第一設計部

電話：042-532-1416（直通）

e-mail: edevice@fujitsu.com

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その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご承知ください。


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