携帯電話機やコードレス電話機の通信感度の向上を実現するトランジスタ2モデルの発売について

〜5.2GHz帯で世界最高の雑音指数0.95dBを実現〜

SiGeヘテロ型バイポーラトランジスタの2モデルを製品化「NESG3031M05」「NESG3031M14」

ＮＥＣ化合物デバイス(社長:峰尾 秋良、所在地:神奈川県川崎市)はこのたび、携帯電話機、コードレス電話機、無線LANシステムなどの通信感度の向上、装置の小型化などを実現するシリコンゲルマニウム(SiGe)ヘテロ型バイポーラトランジスタ(HBT:注1)2モデルを製品化し、「NESG3031M05」および「NESG3031M14」の名称で、明3日より販売活動を開始することにいたしました。

新製品は、無線LANシステムや家庭用民生コードレス製品などの受信側の高周波低雑音増幅回路(ローノイズアンプ)に最適なものであり、5.2ギガヘルツ(GHz)の周波数帯域に対応するものとしては、当社現行品種に比べて約0.35デシベル(dB)低い0.95dBという世界最高の雑音指数を実現いたしました。

新製品のサンプル価格は35円、サンプル出荷開始時期としては「NESG3031M05」が本年8月上旬、「NESG3031M14」が本年9月上旬を、量産開始時期は2モデルとも本年10月を予定しております。ＮＥＣ化合物デバイスでは、新製品において、当初は月産合計100万個の生産規模を計画しており、来年3月には月産合計1,000万個に生産を拡大する計画であります。

新製品の主な特長は次の通りであります。

	(1)	トランジスタの素子の厚さを微細にできる結晶成長技術「選択的エピタキシャル成長技術」(注2)と微細加工技術とを最適化したプロセス技術「UHS3」を採用したことにより、低雑音と高電力利得を実現している。
	(2)	1. 1.2mm×0.8mmという4ピンモールドトランジスタとしては世界最小のモールドサイズを実現し、最終製品の小型化を実現する「NESG3031M14 」、2. 実装しやすい4ピン薄型/小型パッケージ「NESG3031M05」、という異なるサイズの2モデルを提供しており、用途に応じて選択できる。
	(3)	製造しやすく安価なシリコン半導体技術をベースとしているため、高性能を実現しながら、同性能のガリウムヒ素(GaAs)トランジスタの約半分の価格で提供できる。

これらにより、5GHz帯を利用した高速な無線通信システムにおいて、1. 通信感度を高め、音質を向上させること、2. 通信距離を延ばすこと、3. 信号伝達のエラーを低減すること、4. 装置の設計を容易にすること、5. 最終製品を低価格化すること、などが可能になります。

家庭用の民生コードレス製品では現在、2.4GHz帯の電波が多く用いられております。その結果、電子レンジ使用時の無線システムへの干渉などにみられるように、2.4GHz帯の混雑が問題となりつつあります。そこで市場では、2.4GHz帯域の混雑を避けられる5GHz帯の周波数を使ったワイヤレス機器への関心が高まっております。また、情報伝送容量の大きい無線LAN(IEEE802準拠のもの)や民生画像伝送系機器でも、高速で通信できる5GHz帯のワイヤレス機器が有望と考えられております。
しかしながら、従来の5GHz帯用のトランジスタでは、低雑音化のための設計が複雑になってしまう、GaAsを用いるため高価になってしまうなどの問題がありました。
ＮＥＣ化合物デバイスでは、新製品を5GHz帯の無線機器に搭載することにより、設計段階での問題解決、製品の高付加価値化などが実現できると考え、今回の製品化を行ったものであります。
ＮＥＣ化合物デバイスでは今後も、製品のさらなる高性能化によるラインナップの拡充などを図り、市場のニーズに応えていく計画であります。

なお、新製品の主な仕様は別紙をご参照下さい。

＜本件に関するお客様からの問い合わせ先＞
NEC化合物デバイス株式会社　営業本部 販売技術グループ

FAX　(044)435-1918
E-Mail techinfo@ml.ncsd.necel.com

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