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株式会社東芝、NECエレクトロニクス株式会社、富士通株式会社は、バースト機能を搭載した擬似SRAM(*1)のインタフェース仕様を共通化することで合意いたしました。本共通仕様にもとづく擬似SRAMの製造および販売は、3社がそれぞれ独自に行ない、2003年度前半から各社より順次提供する予定です。
合意した共通仕様の名称は、"Common Specifications for Mobile RAM (略称 COSMORAM)"です。

3社は、フラッシュメモリとSRAMを混載するスタック型マルチ・チップ・パッケージ(以下、MCP)仕様の共通化に取り組み、1998年9月に仕様共通化を完了しております。また、2002年3月には、ページモード機能搭載の擬似SRAMおよびスタック型MCPについて、共通インタフェース仕様に合意したことを共同発表しております。これにより、高速で大容量化が容易な擬似SRAMにおいて、それまで不十分だった3社のインタフェース仕様に互換性ができ、お客様は効率的に3社の疑似SRAMをご使用いただけるようになりました。

今回はそれに続き、バースト機能を搭載した疑似SRAMおよびスタック型MCPについてもインタフェース仕様を共通化いたします。バースト機能は、ページモードよりさらに高速動作を可能とするため、より高速処理を必要とする今後の携帯電話や携帯情報端末などに最適な機能です。

これにより、お客様は、ページモード機能に引き続き、バースト機能搭載の疑似SRAMについても設計基板の共通化が図れ、製品ごとの個別設計が不要になります。また、設計期間の短縮や設計効率を大幅に向上でき、各社の仕様が共通化されるため、互いにセカンド・ソースとなり、製品の安定供給が図れます。

COSMORAM仕様で共通化した主な項目は次の通りです。
　・容量
　・電圧範囲
　・コントロール端子名
　・真理値表(*2)
　・パーシャルリフレッシュ(*3)(容量、対応アドレス配置)
　・バースト機能(バースト長(*4)・対応アドレス)
　・モード・レジスタ(*5)初期値
　・モード・レジスタ設定方法
　・パワー・オン・シーケンス(*6)
　・ピン配置
　・パッケージ

【用語説明】

(*1)	擬似SRAM：　大容量化とビットコスト低減を実現するために、DRAMのセルアレイを用いております。お客様が容易にシステム設計できるように、外部インタフェースは、非同期型SRAMと互換性をもたせております。高機能化に伴いワーク・メモリの大容量化が急速に進んでいる携帯電話に最適なメモリです。
(*2)	真理値表：　デバイスの動作モードとそれを設定する外部コントロール信号の組み合わせを規定した表です。
(*3)	パーシャルリフレッシュ：　スタンバイモード時のデバイスの消費電流を抑えるため、全ビットをリフレッシュせずに、一部のビットのみをリフレッシュする機能または動作モードです。リフレッシュされたビット領域はデータ保持されますがリフレッシュ電流が消費されます。一方リフレッシュされないビット領域は、データは保持されませんがリフレッシュ電流が消費されない分消費電流を抑えることができます。
(*4)	バースト長：　デバイスのアクセス性能を上げるためのバースト・モードでは、外部からのクロック信号に同期して短いサイクルで決められた長さのデータの高速読み出しが可能で、このデータのビット数のことを指します。
(*5)	モード・レジスタ：　制御コードを保持する内部レジスタで、外部からデバイスの動作モード設定を行います。
(*6)	パワー・オン・シーケンス：　デバイスに電源電圧を印加後、コントロール端子に与える一連の信号電圧のコンビネーションです。これによりデバイスの内部状態を初期化します。

【商標】記載されている会社名および商品名は各社の商標または登録商標です。

以上

＜この発表に関するお客さまからの問い合わせ先＞

株式会社東芝
セミコンダクター社モバイルメモリ営業担当

電話：03-3457-3401（直通）

e-mail: semicon@toshiba.co.jp

ＮＥＣエレクトロニクス
半導体テクニカルホットライン

電話：044-435-9494（直通）

FAX：044-435-9608

e-mail: info@lsi.nec.co.jp

富士通株式会社
電子デバイス事業本部システムメモリ事業部

電話：042-532-1416

e-mail: edevice@fujitsu.com

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