新製品

SiGeHBTディスクリートトランジスタ	移動体通信/無線通信用スイッチ・シリーズ
LNB用マトリクススイッチ・シリーズ	GPS/携帯端末向けLNAシリーズ
高周波増幅器ICシリーズ	高出力シリコンLDMOS FETディスクリートトランジスタ
小型パッケージ採用シリコン高周波増幅器IC

---

SiGe HBTディスクリートトランジスタ

特徴:NESG2200xx,NESG2400xxは、低歪、低ＮＦ特性を重視する地上波デジタル放送用の周波数帯域(440MHz～770MHz)用のＬＮＡやパワースプリッターに適した製品です。

用途:地上波デジタルチューナー,セットトップボックス,テレビ用ブースタアンプ等。

 

品名	特徴
NESG210833 NESG220033 NESG220034 NESG240033 NESG240034	比較的利得が高い用途に適しています
	↑
	標準的な製品です
	↓
	低歪特性を重視する用途に適しています

　　　　　　　　　　　　　　 　 　　　　 　

特徴	Vce電源：Vce=5V NF = 0.9dB Vce=5v,Ic=40mA.f=1GHz ＥＳＤプロテクション素子を内蔵 : HBM 3500V, MM 150V 低ひずみ：OIP3=35.5dBm TYP ：Vce=5V, Ic(set)=40mA, f=1GHz 2種類のパッケージから選択可能

パッケージ

	3ピン SMM (パッケージコード: 33, SOT-23)
	3ピン PoMM (パッケージコード:34, SOT-89)

移動体通信/無線通信用スイッチ・シリーズ

当社では、500MHz～5.8GHzの移動体通信およびワイヤレスLAN等用のスイッチ・シリーズをラインアップしています。パッケージや周波数、タイプ別にご用意しておりユーザのシステム設計に応じた選択ができます。

• SPDT(Single Pole Double Throw)/シングル・コントロール品
• SPDT(Single Pole Double Throw)/2コントロール品
• SPDT(Single Pole Double Throw)/小パッケージ品
• SP3T(Single Pole Three Throw)
• DPDT(Double Pole Double Throw)

パッケージ

6SMM (TB) 2.0×1.3×0.9

6L2MM(1511) (TK) 1.5×1.1×0.6

6TSON (T5N) 1.5×1.5×0.4

6TSSON (T5K/T6R) 1.0×1.0×0.4

LNB用マトリクススイッチ・シリーズ

当社では、衛星放送受信LNB用マトリクススイッチ・シリーズをラインアップしており、ユーザのシステム設計に応じた選択ができます。

4×2マトリクススイッチ

特徴	高アイソレーション 低挿入損失
用途	衛星放送受信LNB スイッチ・ボックス その他のL,S帯4×2切り替えスイッチ

パッケージ

	20ピン・プラスチックQFN （0.5mmピッチ）

GPS/携帯端末向けLNAシリーズ

当社では、GPS、携帯端末用アンプ・シリーズをラインアップしています。GaAsや当社独自のシリコン・ゲルマニウム（SiGe）・バイポーラ・プロセスを用いた低雑音、高利得に優れたディスクリートトランジスタおよびICを実現しており、ユーザのシステム設計に応じた選択ができます。

特徴	GaAsおよびSiGeによる低雑音、高利得デバイスをラインアップ(製品一覧) 高密度実装に最適なパッケージをラインアップ GPS用RF-IC とのキット使用が可能

パッケージ

	6ピン・リードレス・ミニモールド(1511) シリコンMMIC用 1mm/目盛り
	8ピン・リードレス・ミニモールド
	12ピンQFN

高周波増幅器ICシリーズ

当社では、衛星放送や移動体通信用の高周波増幅器シリーズをラインアップしています。電源電圧や出力パワー、パッケージ別にご用意しておりユーザのシステム設計に応じた選択ができます。

• 5V広帯域アンプ
• 5V中出力アンプ
• 3Vバッファアンプ
• 3V中出力アンプ

パッケージ

	6ピン小型ミニモールド 1mm/目盛り		6ピン・リードレス・ミニモールド(1511) シリコン MMIC用 1mm/目盛り

高出力シリコンLDMOS FETディスクリートトランジスタ

NE55410GRは、VHF帯～S帯（0.1～2.6GHz）のドライバ段電力増幅用に開発したNチャネルLD（Laterally Diffused）MOS FETを2素子搭載した製品です。移動体通信基地局用PAなどに最適です。

NE55410GR

特徴	単電源：VDS=3V<VDS<30V 2W(Q1)&10W(Q2)のツインFET 高出力：Po(1dB)=+40.4dBm TYP.(*) 高利得：GL(Q1+Q2)=24.5dB TYP.(*) 高効率：ドレイン効率=45% TYP.(*) 低ひずみ：IM3=40dBc TYP.@Pout=33dBm(*) (*)：VDS=28V, IDset=120mA, f=2.14GHz 16ピンHTSSOPパッケージ採用 （外形寸法：6.4x6.5x0.9mm）

パッケージ

	16ピン HTSSOP

小型パッケージ採用シリコン高周波増幅器IC uPC8178TK, uPC8179TK

uPC8178TKおよびuPC8179TKは、移動体通信用各種バッファ・アンプ用として開発したシリコン高周波増幅器ICです。リードレス・ミニモールド・パッケージ採用により、従来の小型ミニモールド・パッケージ品に比べ実装面積を約1/2に削減しました（当社比）。移動体通信用RFローカル・バッファや各種モジュール等に最適です。

特徴	リードレス・ミニモールド・パッケージ採用 （外形寸法：1.5x1.3x0.55mm） 特性により2品種ラインアップ uPC8178TK：低消費電流タイプ uPC8179TK ：高利得、高アイソレーション・タイプ

パッケージ

	6ピン・リードレス・ミニモールド(1511) シリコンMMIC用 1mm/目盛り

---

---

RF&マイクロ波デバイス 製品に関するお問い合わせ