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パワー・トランジスタ/FET

ドキュメント(データ・シート類)末尾の問い合わせ先が古い場合があります。 最新のお問い合わせ先はこちらでご確認ください。 SPICEパラメータ： Sパラメータ： Agilent ADS用： Ansoft Designer用： AWR Microwave Office用：       詳細説明 品名 機能 アプリケーション デバイスパラメータ 電源電圧 (V) 電流 (mA) 周波数 (MHz) 特 性 PKG Sパラ SPICE デザイン・キット 寸法図 CADデータ 2SC5288 (NE68939) 一般, 中出力パワーBip. Tr. - - - 3.6 Icq=1 1900 Pin(1dB)=24dBm (class AB) 4MM 2SC5289 (NE69039) 一般, 中出力パワーBip. Tr. - - - 3.6 Icq=1 1900 Pin(1dB)=27dBm (class AB) 4MM 2SC5750 (NE67718) 無線通信PA(0.9-2.4GHz), パワー・アンプ, 中出力パワーBip. Tr. - - 2.8 Icq=8 1800 P-1=15dBm 4SMM 2SC5751 (NE677M04) 無線通信PA(0.9-2.4GHz), パワー・アンプ, 中出力パワーBip. Tr. 2.8 Icq=8 1800 P-1=15dBm F4TSMM 2SC5752 (NE67818) 無線通信PA(0.9-2.4GHz), パワー・アンプ, 中出力パワーBip. Tr. - - 2.8 Icq=10 1800 P-1=18dBm 4SMM 2SC5753 (NE678M04) 無線通信PA(0.9-2.4GHz), パワー・アンプ, 中出力パワーBip. Tr. 2.8 Icq=10 1800 P-1=18dBm F4TSMM 2SC5754 (NE664M04) Bluetooth(TM), 無線通信PA(0.9-2.4GHz), パワー・アンプ, 中出力パワーBip. Tr. - - 3.6 Icq=4 1800 P-1=26dBm F4TSMM NE5500134 移動通信, PDC, GSM, パワー・アンプ, パワーMOS FET - - - 4.8 IDset=200 450-2500 Pout=29.5dBm, GL=13.0dB, Efficiency=55%@f=1.9GHz 3PMM NE5500179A 移動通信, PDC, GSM, パワー・アンプ, パワーMOS FET - - 4.8 340 450-2500 Pout=30.0dBm, GL=14.0dB, Efficiency=55%@f=1.9GHz 79A NE5500234 移動通信, PDC, GSM, パワー・アンプ, パワーMOS FET - - - 6 610 450-2500 Pout=32.5dBm, GL=11.0dB, Efficiency=50%@f=1.9GHz 3PMM NE5500434 移動通信, PDC, GSM, パワー・アンプ, パワーMOS FET - - - 4.8 IDset=600 450-2500 Pout=35.0dBm, GL=14.0dB, Efficiency=60%@f=900MHz 3PMM NE5500479A 移動通信, PDC, GSM, パワー・アンプ, パワーMOS FET - - 3.5 600 450-2500 Pout=31.5dBm, GL=15.0dB, Efficiency=62%@f=900MHz 79A NE5510279A 移動通信, PDC, GSM, パワー・アンプ, パワーMOS FET - - 4.8 1000 450-2500 Pout=35.5dBm, GL=16.0dB, Efficiency=65%@f=900MHz 79A NE5511279A 一般, 中出力パワーBip. Tr. - - 7.5 IDset=400 460-900 Pout=40.5dBm, GL=18.5dB, Efficiency=50%@f=460MHz 79A NE5520279A 移動通信, PDC, GSM, パワー・アンプ, パワーMOS FET - - 3.2 800 450-2500 Pout=32.0dBm, GL=10dB, Efficiency=45%@f=1.8GHz 79A NE5520379A 移動通信, PDC, GSM, パワー・アンプ, パワーMOS FET - - 3.2 1000 450-2500 Pout=35.5dBm, GL=16dB, Efficiency=68%@f=915MHz 79A NE552R479A L, S帯パワー・アンプ, パワーMOS FET - - 3.0 230 2450 Pout=26.0dBm, GL=11dB, Efficiency=45%@f=2.45GHz 79A NE552R679A UHF帯パワー・アンプ, パワーMOS FET - - 3.0 320 460 Pout=28.0dBm, GL=20dB, Efficiency=60%@f=460MHz 79A NE55410GR UHF帯パワー・アンプ, パワーLDMOS FET - - - 28 IDset=120 960 Po(1dB)=41.5dBm@f=960MHz, Vds=28V, GL=30dB@f=900MHz 16HTSSOP NE6500179A L, S帯パワー・アンプ, パワーGaAs FET - - 6 200 800-2500 Po(1dB)=30dBm, GL=12dB, Efficiency=50%@f=1.9GHz 79A NE650103M L, S帯パワー・アンプ, パワーGaAs FET - - 10 IDset=1500 800-2500 Po(1dB)=40dBm, GL=11dB, Efficiency=45%@f=2.3GHz 3M(T-91M) - - NE6510179A L帯パワー・アンプ, パワーGaAs HJ-FET - - 3.5 200 800-2500 Po=32.5dBm, GL=10dB, Efficiency=58%@f=1.9GHz 79A NE651R479A L帯パワー・アンプ, パワーGaAs HJ-FET - - 3.5 50 800-2500 Po=27dBm, GL=12dB, Efficiency=60%@f=1.9GHz 79A NEM090303M-28 UHF帯パワー・アンプ, パワーLDMOS FET - - - 28 IDset=250 960 Pout=46.5dBm, GL=20dB, Efficiency=62%@f=960MHz 3M(T-91M) - - NEM090603M-28 UHF帯パワー・アンプ, パワーLDMOS FET - - - 28 IDset=550 960 Po(1dB)=48.5dBm, GL=17.5dB, Efficiency=54%@f=960MHz 3M(T-91M) - - NEM090853P-28 UHF帯パワー・アンプ, パワーLDMOS FET - - - - - 28 IDset=800 960 P-1=50dBm, GL=19dB, Efficiency=54%@f=960MHz 3P(T-97M) - - NEM091203P-28 UHF帯パワー・アンプ, パワーLDMOS FET - - - 28 IDset=1200 960 Pout=51.3dBm, GL=18dB, Efficiency=58%@f=960MHz 3P(T-97M) - - NEM091603P-28 UHF帯パワー・アンプ, パワーLDMOS FET - - - 28 IDset=1200 880 Pout=52.3dBm, GL=19.5dB, Efficiency=60%@f=880MHz 3P(T-97M) - - NEM091803S-28 UHF帯パワー・アンプ, パワーLDMOS FET - - - 28 IDset=1600 880 Pout=52.5dBm, GL=18.5dB, Efficiency=53%@f=880MHz T-101M (3S) - - NESG260234 UHF帯中出力パワーBip. Tr., FRS, GMRS, 移動通信, SiGeHBT - - - 6 Ic(set)=30 460 Po(1dB)=+30dBm@f=460MHz, Vce=6V, GL=22dB@f=460MHz 3PMM NESG270034 UHF帯中出力パワーBip. Tr., FRS, GMRS, 移動通信, SiGeHBT - - - 6 Ic(set)=30 460 Po=33.5dBm, Vce=6V, GL=19.5dB@f=460MHz 3PMM 31 件

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