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セルフ・プログラミング機能を利用して、フラッシュ・メモリを“書き換え可能なプログラム・メモリ”の用途だけではなく、EEPROMのような“データの書き換え/保存用メモリ”として使用するための機能です。
本機能は、“データの追加書き込み”と“ブロック消去”を繰り返し実行することにより、頻繁に発生するデータ更新に対応します。また、データ番号やデータ検索機能により、複数種類のデータの最新値の管理が可能です。
EEPROMエミュレーションでこんなことができます!
フラッシュ・メモリの部分領域書き換えにより、製品個別データなど、共通化できないデータ項目を必要なタイミングで必要な値に書き換えることができます。
複数種類の書き換えデータの管理ができますので、さまざまなシステムにご利用いただけます。また、書き換えデータの管理をマイコン機能として取り込むことにより、これまで必要としていた周辺部品の削減をはかることができます。
<EEPROMエミュレーション機能の使用例>
エアコンのようにシステム動作中に、設定温度、風向き、風量など複数の設定データが変更される場合、
順次、変更データをフラッシュ・メモリに書き込み、再起動時に最新データ読み出すことにより、以前
の設定のまま、システムを起動させることができます。
(*)ご使用のデバイスがEEPROMエミュレーションに対応しているかをハードウェア・マニュアルでご確認の上、“開発ツール・ダウンロードとユーザ登録”のページのバージョンアップ・サービスより取得してください。なお、ダウンロードにはオンラインユーザ登録が必要です。
また、お客様の製品にライブラリを組み込んだ場合は、その製品の将来の保守のために、ライブラリのバージョン番号を記録するとともに、ドキュメント、ソフトの設計書を保管してください。