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製品情報 > メモリ > QDR SRAM / DDR SRAM > QDR II SRAM / QDR II+ SRAM >

QDR™II SRAM 36M bit


(動作周囲温度: Commercial品 TA=0～70°C),(動作周囲温度: Industrial品 TA=-40～+85°C)


2-Word Burst Operation 4-Word Burst Operation


QDR II　36Mbit 2-Word Burst Operation

Part Number Organization Speed Grade Clock Frequency (MHz) Supply Voltage (V) Package Data Sheet Simulation Models
0 to 70 °C -40 to +85 °C VDD VDDQ*1 Denali Model Ibis
1.8 V VDD
(1.5 V VDDQ)		 Ibis
1.8 V VDD
(1.8 V VDDQ)		 BSDL
µPD44325092B 4M x 9 E33 - 300 1.8±0.1 1.4 to 1.9 F5-FQ1:
165-pin BGA
(15 x 17 mm²)		 (532KB) - -
E35 - 287
E40 - 250
E50 - 200
µPD44325182B 2M x 18 E33 - 300
E35 - 287
E40 - 250
E50 - 200
µPD44325362B 1M x 36 E33 - 300
E35 - 287
E40 - 250
E50 - 200
µPD44325082 4M x 8 E40 - 250 1.8±0.1 1.4 to 1.9 F5-EQ2:
165-pin BGA
(13 x 15 mm²)		 (470KB)
E50 E50Y 200
µPD44325092 4M x 9 E40 - 250
E50 E50Y 200
µPD44325182 2M x 18 E40 - 250
E50 E50Y 200
µPD44325362 1M x 36 E40 - 250
E50 - 200

注釈(*)

  1. 通常動作時，VDDQがVDDを越えないようにしてください。

  • 開発中:µPD44325092B,µPD44325182B,µPD44325362B


QDR II　36Mbit 4-Word Burst Operation

Part Number Organization Speed Grade Clock Frequency (MHz) Supply Voltage (V) Package Data Sheet Simulation Models
0 to 70 °C -40 to +85 °C VDD VDDQ*1 Denali Model Ibis
1.8 V VDD
(1.5 V VDDQ)		 Ibis
1.8 V VDD
(1.8 V VDDQ)		 BSDL
µPD44325084B 4M x 8 E33 - 300 1.8±0.1 1.4 to 1.9 F5-FQ1:
165-pin BGA
(15 x 17 mm²)		 (559KB) - -
E35 - 287
E40 - 250
E50 - 200
µPD44325094B 4M x 9 E33 - 300
E35 - 287
E40 - 250
E50 - 200
µPD44325184B 2M x 18 E33 - 300
E35 - 287
E40 - 250
E50 - 200
µPD44325364B 1M x 36 E33 - 300
E35 - 287
E40 - 250
E50 - 200
µPD44325084 4M x 8 E37 - 270 1.8±0.1 1.4 to 1.9 F5-EQ2:
165-pin BGA
(13 x 15 mm²)		 (478KB)
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200
µPD44325094 4M x 9 E37 - 270
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200
µPD44325184 2M x 18 E37 - 270
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200
µPD44325364 1M x 36 E37 - 270
E40 - 250
E50 - 200

注釈(*)

  1. 通常動作時，VDDQがVDDを越えないようにしてください。

  • 開発中:µPD44325084B,µPD44325094B,µPD44325184B,µPD44325364B

QDR

QDR RAMとQuad Data Rate RAMは，サイプレスセミコンダクタ社，ルネサステクノロジ社，IDT社，NECエレクトロニクス，サムスン電子社により開発された製品の新しいシリーズを含みます。

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