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QDR™II SRAM 36M bit

(動作周囲温度: Commercial品 TA=0~+70℃) ,                         (動作周囲温度: Industrial品 TA=-40~+85℃)


36Mビット(4Mワード x 8ビット構成)

品名 クラス 周波数
(MHz)
電源電圧
(V)
パッケージ 備考 データ
シート
0~
+70℃
-40~
+85℃
チップ I/O*1
μPD44325082 E40 -- 250 1.8±0.1 1.4~1.9 F5-EQ2:
165ピンBGA
(13x15mm)
バースト長=2 (870KB)
E50 E50Y 200
μPD44325084 E37 -- 270 1.8±0.1 1.4~1.9 F5-EQ2:
165ピンBGA
(13x15mm)
バースト長=4 (435KB)
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200


注釈(*)

  1. 通常動作時,I/Oの電源電圧がチップの電源電圧を越えないようにしてください。


36Mビット(4Mワード x 9ビット構成)

品名 クラス 周波数
(MHz)
電源電圧
(V)
パッケージ 備考 データ
シート
0~
+70℃
-40~
+85℃
チップ I/O*1
μPD44325092 E40 -- 250 1.8±0.1 1.4~1.9 F5-EQ2:
165ピンBGA
(13x15mm)
バースト長=2 (870KB)
E50 E50Y 200
μPD44325094 E37 -- 270 1.8±0.1 1.4~1.9 F5-EQ2:
165ピンBGA
(13x15mm)
バースト長=4 (435KB)
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200


注釈(*)

  1. 通常動作時,I/Oの電源電圧がチップの電源電圧を越えないようにしてください。


36Mビット(2Mワード x 18ビット構成)

品名 クラス 周波数
(MHz)
電源電圧
(V)
パッケージ 備考 データ
シート
0~
+70℃
-40~
+85℃
チップ I/O*1
μPD44325182 E40 -- 250 1.8±0.1 1.4~1.9 F5-EQ2:
165ピンBGA
(13x15mm)
バースト長=2 (870KB)
E50 E50Y 200
μPD44325184 E37 -- 270 1.8±0.1 1.4~1.9 F5-EQ2:
165ピンBGA
(13x15mm)
バースト長=4 (435KB)
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200


注釈(*)

  1. 通常動作時,I/Oの電源電圧がチップの電源電圧を越えないようにしてください。


36Mビット(1Mワード x 36ビット構成)

品名 クラス 周波数
(MHz)
電源電圧
(V)
パッケージ 備考 データ
シート
0~
+70℃
-40~
+85℃
チップ I/O*1
μPD44325362 E40 -- 250 1.8±0.1 1.4~1.9 F5-EQ2:
165ピンBGA
(13x15mm)
バースト長=2 (870KB)
E50 -- 200
μPD44325364 E37 -- 270 1.8±0.1 1.4~1.9 F5-EQ2:
165ピンBGA
(13x15mm)
バースト長=4 (435KB)
E40 -- 250
E50 -- 200


注釈(*)

  1. 通常動作時,I/Oの電源電圧がチップの電源電圧を越えないようにしてください。


QDR

QDR RAMとQuad Data Rate RAMは,サイプレスセミコンダクタ社,ルネサステクノロジ社,IDT社,NECエレクトロニクス,サムスン電子社により開発された製品の新しいシリーズを含みます。




関連資料

ユーザーズマニュアル

QDR™ II SRAM , DDR II SRAM の使い方