μPD23C128000BL （マスクROM）
μPD29F064115 （フラッシュメモリ）
μPD431000A （SRAM（4トランジスタメモリセル））
μPD442000A （SRAM（6トランジスタメモリセル））
μPD4632312 （モバイル用途RAM（一部SRAM製品を表す場合があります））
μPD485505 （ライン・バッファ等の特殊メモリ）
MC-2C24104 （MCP）

容量を表す場合（一部製品では適用されません）

μPD29F256115 （256Mビット）
μPD23C128080BL （128Mビット）
μPD4664312 （64Mビット）
μPD44323362 （32Mビット）
μPD44164082 （16（18）Mビット）
μPD448012 （8Mビット）
μPD444001 （4Mビット）
μPD432232L （2Mビット）
μPD431000A （1Mビット）

I/O数を表す場合（SRAM製品（低消費電力SRAM除く）に適用されます）

μPD444001 （ｘ1ビット）
μPD444004 （ｘ4ビット）
μPD444008 （ｘ8ビット）
μPD444016 （ｘ16ビット）
μPD44321182 （ｘ18ビット）
μPD4481322 （ｘ32ビット）
μPD44321362 （ｘ36ビット）

改版を表す場合（改版がある製品にはA→B→Jの順に表示されます）

μPD431000A
μPD43256B
μPD23C64000JL

②パッケージコード

メモリ製品で使用されている主なパッケージコードを以下に示します。

μPD431000ACZ （DIP（15.24mm幅））
μPD44323182F1 （プラスチックBGA（ワイヤボンディング））
μPD44165082F5 （プラスチックBGA（フリップチップ））
μPD4664312F9 （テープBGA（ワイヤボンディング））
μPD4416008G5 （TSOP（II）（10.16mm幅））
μPD44322181GF （LQFP（14ｘ20mm））
μPD43256BGU ^*1 （TSOP（I）（11.43mm幅））
μPD431000AGW （SOP, TSOP（I）（13.4mm幅））
μPD23C64000JLGX （SOP（15.24mm幅））
μPD448012GY （TSOP（I）（18mm幅））
μPD29F064115GZ （TSOP（I）（20mm幅））
μPD444016LLE （SOJ（10.16mm幅））

注釈(*)

μPD431000AGU のみ TSOP(I)（13.4mm幅）になります。

③派生区分またはROMコード

動作電圧、スピード、動作温度範囲等を表します（マスクROMの場合はROMコードを表します）。

動作電圧

派生区分コードの先頭の英文字で表します。一部の製品ではこの表記が適用されていない場合もあります。

μPD444016LE-8 （5V動作品：英文字なし）
μPD444016LLE-A8 （3.3V動作品）
μPD444012AGY-B55X （3.0V動作品）
μPD44323182F1-C40 （2.5V動作品）
μPD29F256115F9-E85X （1.8V動作品）

スピード

アクセスタイムまたはサイクルタイムを表す数字2文字で表します。

μPD444016LLE-A12 （アクセスタイム12ns）
μPD4482181GF-A65 （アクセスタイム6.5ns）
μPD4482182GF-A50 （サイクルタイム5.0ns）

動作温度範囲

派生区分コードの末尾の英文字で表します。

μPD444012AGY-B55X （動作温度範囲－25～＋85℃）
μPD4482182GF-A50Y （動作温度範囲－40～＋85℃）

④パッケージ細区分コード（一部製品のみ）

一部製品においてリード形状、BGA外形などさらに細かい区分を表します。

リード形状区分

μPD43256BGW-B15-9JL （順曲げリード）
μPD43256BGW-B15-9KL （逆曲げリード）

BGA外形区分

短辺の長さが基準になります。

μPD44165082F5-E50-EQ1 （短辺12mmまたは13mm）
μPD44323182F1-C50-FJ1 （短辺14mmまたは15mm）

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