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2008年6月17日から20日まで、米国ハワイ州のHilton Hawaiian Villageホテルで、最先端のデバイス、プロセスや回路技術が発表される「VLSIシンポジウム (2008 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 2008」が開催されました。今回は、その中から当社単独、および当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。

2008年6月1日から4日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市郊外で最先端の配線技術が発表される「IITC (IEEE International Interconnect Technology Conference) 2008」が開催されました。今回は、IITCに採択されたNECとNECエレクトロニクスによる共同の研究成果をご紹介します。

2007年9月16日から21日まで、米国カリフォルニア州のアナハイムで、電子機器、部品に関する静電気障害とその対策、電磁障害とその対策の研究に関して世界で最も権威のあるESD Associationが主催する国際学会「EOS/ESDシンポジウム」が開催されました。今回は、「EOS/ESDシンポジウム」で当社が発表した研究成果をご紹介します。

NECエレクトロニクスでは、消費電力を大幅に低減した55nmのセルベースICを開発しました。そこには、携帯電話や携帯機器の電池使用時間の長時間化に貢献するロー・スタンバイ・パワーCMOS技術を採用しています。世界ではじめて実用化したHigh-kゲート絶縁膜トランジスタの誕生にいたる「ちょこっとHigh-kコンセプト」を開発者の方々に聞きました。

2007年6月11日から16日まで、京都のリーガ・ロイヤルホテルで、最先端のデバイス、プロセスや回路技術が発表される「VLSIシンポジウム (2007 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 2007」が開催されました。今回は、「Symposium on VLSI Technology」で当社単独、および当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。

2007/08/31　「無線IPコアのデジタル化をさらに一歩進める基本技術を開発」を追加しました。

2007年6月4日から6日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市郊外で最先端の配線技術が発表される「IITC (IEEE International Interconnect Technology Conference) 2007」が開催されました。今回は、IITCに採択されたNECエレクトロニクスとNECによる共同の研究成果をご紹介します。

携帯機器で高画質な動画処理を実現するには、プロセッサの処理性能はもちろんのこと、プロセッサとメモリ間のデータ転送速度の高速化やメモリの大容量化が不可欠です。これらを低コストに実現する新パッケージ技術が誕生しました。期待の新SiP技術「SMAFTI」（スマフティ）をご紹介します。

65nm世代以降のシステムLSI開発時にネックとなるばらつき増大に対応するため、配線ばらつきによる設計マージンを統計的手法により適切に決定するアルゴリズムを実用化し、RC抽出ツールに移植する設計技術を開発しました。

半導体の微細化に伴い、静電気放電に対するトランジスタの耐性が著しく低下しています。ノイズ耐性の向上や消費電力の低減を目的として電源を分離した多電源システムLSIにおいて、ESD耐性を向上させる新型の電源ESD保護素子と保護回路を開発しました。

2006年6月13日から17日まで、米国ハワイ州のHilton Hawaiian Villageホテルで、最先端のデバイス、プロセスや回路技術が発表される「VLSIシンポジウム (2006 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 2006」が開催されました。今回は、「VLSIシンポジウム」で当社単独、および当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。

2006年6月5日から7日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市で最先端の配線、実装技術が発表される「IITC(IEEE International Interconnect Technology Conference) 2006」が開催されました。今回は、IITCに採択されたNECエレクトロニクスとNECによる共同の研究成果をご紹介します。

2006年2月5日から9日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市で、最先端の集積回路技術が発表される「ISSCC (IEEE International Solid State Circuits Conference：国際固体素子回路会議) 2006」が開催されました。今回は、ISSCCに採択されたNECエレクトロニクスとNECによる共同の研究成果をご紹介します。

2005年6月14日から18日まで、京都市のリーガロイヤルホテルで、最先端のデバイス、プロセスや回路技術が発表される「VLSIシンポジウム (2005 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 2005」が開催されました。今回は、「VLSIシンポジウム」で当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。

NECエレクトロニクスでは、チップ設計とパッケージ設計の双方において初期段階から高精度な事前検証を可能にする統合設計環境を開発しました。お客様の製品開発期間の短縮、早期市場投入の実現に貢献する「チップとパッケージの統合開発環境」についてご紹介します。

DRAM混載技術にはトランジスタやコンデンサ（キャパシタ）が必要であり、チップ内に作りこむためには、高度な特殊プロセス技術が必要となります。NECエレクトロニクスでは、CMOS互換性に重点を置いた従来とは異なるDRAM混載技術をサポートしています。ここでは、その技術内容についてご紹介します。

2005年2月6日から10日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市で、最先端の集積回路技術が発表される「ISSCC (IEEE International Solid State Circuits Conference：国際半導体回路会議) 2005」が開催されました。今回は、「ISSCC」で、当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。

2003年6月10日から14日まで、回路設計の学会として著名な「VLSIシンポジウム 2003」が京都で開催されました。今回は、その学会でNECエレクトロニクスから発表された研究の成果をご紹介します。

５月５日（米国時間）から米国ルイジアナ州ニューオーリンズで開催された展示会「WinHEC」において、NECエレクトロニクス　アメリカが世界に先駆けてPCI Express™エンドポイント・コントローラのデモンストレーションを披露しました。