ページの先頭です
本文へジャンプする

本ウェブサイトでは、JavaScriptおよびスタイルシートを使用しております。
お客さまがご使用のブラウザではスタイルが未適応のため、本来とは異なった表示になっておりますが、 情報は問題なくご利用いただけます。



NEC Electronics Innovation Channel

カテゴリ別

その他


 
Vol.85
2008/07/02
VLSIシンポジウム2008発表論文のご紹介
VLSIシンポジウム2008発表論文のご紹介

2008年6月17日から20日まで、米国ハワイ州のHilton Hawaiian Villageホテルで、最先端のデバイス、プロセスや回路技術が発表される「VLSIシンポジウム (2008 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 2008」が開催されました。今回は、その中から当社単独、および当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。



 
Vol.84
2008/06/20
IITC2008発表論文のご紹介
IITC2008発表論文のご紹介

2008年6月1日から4日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市郊外で最先端の配線技術が発表される「IITC (IEEE International Interconnect Technology Conference) 2008」が開催されました。今回は、IITCに採択されたNECとNECエレクトロニクスによる共同の研究成果をご紹介します。



 
Vol.78
2007/09/21
EOS/ESDシンポジウム発表論文のご紹介
EOS/ESDシンポジウム発表論文のご紹介

2007年9月16日から21日まで、米国カリフォルニア州のアナハイムで、電子機器、部品に関する静電気障害とその対策、電磁障害とその対策の研究に関して世界で最も権威のあるESD Associationが主催する国際学会「EOS/ESDシンポジウム」が開催されました。今回は、「EOS/ESDシンポジウム」で当社が発表した研究成果をご紹介します。



 
Vol.76
2007/07/11
発想の転換が生んだロー・スタンバイ・パワーCMOS技術「ちょこっとHigh-kコンセプト」誕生の話
発想の転換が生んだロー・スタンバイ・パワーCMOS技術「ちょこっとHigh-kコンセプト」誕生の話

NECエレクトロニクスでは、消費電力を大幅に低減した55nmのセルベースICを開発しました。そこには、携帯電話や携帯機器の電池使用時間の長時間化に貢献するロー・スタンバイ・パワーCMOS技術を採用しています。世界ではじめて実用化したHigh-kゲート絶縁膜トランジスタの誕生にいたる「ちょこっとHigh-kコンセプト」を開発者の方々に聞きました。



 
Vol.75
2007/06/26
VLSIシンポジウム2007発表論文のご紹介
VLSIシンポジウム2007発表論文のご紹介

2007年6月11日から16日まで、京都のリーガ・ロイヤルホテルで、最先端のデバイス、プロセスや回路技術が発表される「VLSIシンポジウム (2007 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 2007」が開催されました。今回は、「Symposium on VLSI Technology」で当社単独、および当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。

2007/08/31 「無線IPコアのデジタル化をさらに一歩進める基本技術を開発」を追加しました。



 
Vol.74
2007/06/19
IITC2007発表論文のご紹介
IITC2007発表論文のご紹介

2007年6月4日から6日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市郊外で最先端の配線技術が発表される「IITC (IEEE International Interconnect Technology Conference) 2007」が開催されました。今回は、IITCに採択されたNECエレクトロニクスとNECによる共同の研究成果をご紹介します。



 
Vol.73
2007/05/30
携帯機器の進化を支える期待の新パッケージ技術「SMAFTI™」
携帯機器の進化を支える期待の新パッケージ技術「SMAFTI™」

携帯機器で高画質な動画処理を実現するには、プロセッサの処理性能はもちろんのこと、プロセッサとメモリ間のデータ転送速度の高速化やメモリの大容量化が不可欠です。これらを低コストに実現する新パッケージ技術が誕生しました。期待の新SiP技術「SMAFTI」(スマフティ)をご紹介します。



 
Vol.70
2006/12/27
65nm世代以降のシステムLSI開発での最適な設計マージンが設定可能な技術を開発
65nm世代以降のシステムLSI開発での最適な設計マージンが設定可能な技術を開発

65nm世代以降のシステムLSI開発時にネックとなるばらつき増大に対応するため、配線ばらつきによる設計マージンを統計的手法により適切に決定するアルゴリズムを実用化し、RC抽出ツールに移植する設計技術を開発しました。



 
Vol.69
2006/12/01
静電気破壊に負けない!90nmプロセス以降の静電気放電保護新技術
静電気破壊に負けない!90nmプロセス以降の静電気放電保護新技術

半導体の微細化に伴い、静電気放電に対するトランジスタの耐性が著しく低下しています。ノイズ耐性の向上や消費電力の低減を目的として電源を分離した多電源システムLSIにおいて、ESD耐性を向上させる新型の電源ESD保護素子と保護回路を開発しました。



 
Vol.65
2006/07/11
「第13回 LSI・オブ・ザ・イヤー」優秀賞と準グランプリを受賞
「第13回 LSI・オブ・ザ・イヤー」優秀賞と準グランプリを受賞

2006年6月28日、当社は「デジタル・ハイビジョン放送対応DVDレコーダ用LSI(EMMA2RH)」と「半導体ソリューションプラットフォーム platformOViA」で、「第13回LSI・オブ・ザ・イヤー」のデバイス部門優秀賞と、設計環境/開発ツール部門準グランプリをそれぞれ受賞しました。



 
Vol.64
2006/06/22
VLSIシンポジウム2006発表論文のご紹介
VLSIシンポジウム2006発表論文のご紹介

2006年6月13日から17日まで、米国ハワイ州のHilton Hawaiian Villageホテルで、最先端のデバイス、プロセスや回路技術が発表される「VLSIシンポジウム (2006 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 2006」が開催されました。今回は、「VLSIシンポジウム」で当社単独、および当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。



 
Vol.63
2006/06/15
IITC2006発表論文のご紹介
IITC2006発表論文のご紹介

2006年6月5日から7日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市で最先端の配線、実装技術が発表される「IITC(IEEE International Interconnect Technology Conference) 2006」が開催されました。今回は、IITCに採択されたNECエレクトロニクスとNECによる共同の研究成果をご紹介します。



 
Vol.62
2006/04/24
「第3回 モノづくり部品大賞」電気・電子部品賞を受賞
「第3回 モノづくり部品大賞」電気・電子部品賞を受賞

2006年3月29日、当社は「地上デジタル・ハイビジョン、放送対応DVDレコーダ向けシステムLSI(EMMA2RH)」で、「第3回 モノづくり部品大賞」の電気・電子部品賞を受賞しました。



 
Vol.58
2006/03/01
ISSCC2006発表論文のご紹介
ISSCC2006発表論文のご紹介

2006年2月5日から9日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市で、最先端の集積回路技術が発表される「ISSCC (IEEE International Solid State Circuits Conference:国際固体素子回路会議) 2006」が開催されました。今回は、ISSCCに採択されたNECエレクトロニクスとNECによる共同の研究成果をご紹介します。



 
Vol.54
2005/10/12
CSRレポートを発行しました
CSRレポートを発行しました

NECエレクトロニクスは、2004年度のCSR活動をまとめた「CSRレポート」を発行しました。当社は、CS推進、コンプライアンス、地球環境保全等の活動を通じて、社会的責任を果たしています。ここでは、その取り組みについてご紹介します。



 
Vol.51
2005/08/08
8ビットマイコンから始まるビジネス革新「All Flash Innovation Seminar」を開催
8ビットマイコンから始まるビジネス革新「All Flash Innovation Seminar」を開催

2005年7月15日に東京(会場:玉川ルネッサンスシティ)、22日に大阪(会場:NEC関西支社B1Fホール)にて、8ビットAll Flashマイコンのソリューション提案や導入時の疑問にお応えするセミナーを開催しました。



 
Vol.50
2005/07/07
「第12回 LSI・オブ・ザ・イヤー」優秀賞を受賞
「第12回 LSI・オブ・ザ・イヤー」優秀賞を受賞

2005年6月29日、当社は「携帯電話向けアプリケーションプロセッサ(MP211)」で、「第12回 LSI・オブ・ザ・イヤー」のデバイス部門優秀賞を受賞しました。



 
Vol.49
2005/06/22
VLSIシンポジウム2005発表論文のご紹介
VLSIシンポジウム2005発表論文のご紹介

2005年6月14日から18日まで、京都市のリーガロイヤルホテルで、最先端のデバイス、プロセスや回路技術が発表される「VLSIシンポジウム (2005 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 2005」が開催されました。今回は、「VLSIシンポジウム」で当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。



 
Vol.48
2005/06/06
NECエレクトロニクスの自動車分野への取組み∼JasParに加盟
NECエレクトロニクスの自動車分野への取組み∼JasParに加盟

NECエレクトロニクスは、自動車分野のソフトウエア・プラットフォーム標準化活動の一つであるJasParに加盟しました。JasPar事務局へのインタビューを交えてその活動についてご紹介します。



 
Vol.47
2005/06/02
LSI開発期間の短縮を実現するチップとパッケージの統合設計環境
LSI開発期間の短縮を実現するチップとパッケージの統合設計環境

NECエレクトロニクスでは、チップ設計とパッケージ設計の双方において初期段階から高精度な事前検証を可能にする統合設計環境を開発しました。お客様の製品開発期間の短縮、早期市場投入の実現に貢献する「チップとパッケージの統合開発環境」についてご紹介します。



 
Vol.45
2005/05/18
未来のメモリを創る:DRAM混載技術によるシステム・オン・チップ(SoC)
未来のメモリを創る:DRAM混載技術によるシステム・オン・チップ(SoC)

DRAM混載技術にはトランジスタやコンデンサ(キャパシタ)が必要であり、チップ内に作りこむためには、高度な特殊プロセス技術が必要となります。NECエレクトロニクスでは、CMOS互換性に重点を置いた従来とは異なるDRAM混載技術をサポートしています。ここでは、その技術内容についてご紹介します。



 
Vol.40
2005/02/16
ISSCC2005発表論文のご紹介
ISSCC2005発表論文のご紹介

2005年2月6日から10日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市で、最先端の集積回路技術が発表される「ISSCC (IEEE International Solid State Circuits Conference:国際半導体回路会議) 2005」が開催されました。今回は、「ISSCC」で、当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。



 
Vol.35
2004/11/30
「ET Award 優秀賞」を受賞
「ET Award 優秀賞」を受賞

2004年11月17日から19日までパシフィコ横浜にて開催された、「Embedded Technology 2004」において、NECエレクトロニクスは「ET Award」の優秀賞を受賞しました。



 
Vol.33
2004/09/30
環境に関する情報発信を強化しました
環境に関する情報発信を強化しました

NECエレクトロニクスは、環境活動への取り組みについて、積極的に情報発信を行っています。ここでは、最近の情報公開について活動をご紹介します。



 
Vol.30
2004/07/29
「第11回 LSI・オブ・ザ・イヤー」を受賞
「第11回 LSI・オブ・ザ・イヤー」を受賞

2004年7月7日、当社は「DVDレコーダの画像や音声データ処理LSI(µPD61181)」で、「第11回 LSI・オブ・ザ・イヤー」のデバイス部門優秀賞を受賞しました。



 
Vol.21
2003/09/29
CEATEC JAPANに単独出展
CEATEC JAPANに単独出展

NECエレクトロニクスは、2003年10月7日(火)から11日(土)までの5日間、幕張メッセで開催される「CEATEC JAPAN」に単独出展いたします。



 
Vol.19
2003/09/04
環境報告書を発行しました
環境報告書を発行しました

NECエレクトロニクスはこのたび、NECから独立後、当社の環境保全に関する方針と活動状況を一冊にまとめた「環境報告書」を初めて発行しました。



 
Vol.17
2003/08/20
先端SoC共同研究センターがNEC相模原事業場内に竣工
先端SoC共同研究センターがNEC相模原事業場内に竣工

NEC相模原事業場敷地内に完成した先端SoC共同研究センター。新しい産学官連携モデル提供の場として、NECエレクトロニクスが運営を委託されています。



 
Vol.15
2003/07/30
読者の皆様へ∼東証一部に上場しました∼
読者の皆様へ∼東証一部に上場しました∼

2003年7月24日、当社は東京証券取引所第一部へ上場いたしました。



 
Vol.13
2003/07/16
「LSI・オブ・ザ・イヤー 2003」を受賞
「LSI・オブ・ザ・イヤー 2003」を受賞

2003年7月9日、当社の「新ASICソリューションプラットフォーム ISSP™シリーズ」と、当社がNECのマルチメディア研究所と共同で開発した「システムLSIのC言語ベース設計環境」は「LSI・オブ・ザ・イヤー 2003」で、それぞれ優秀賞とグランプリを受賞しました。



 
Vol.12
2003/07/09
「ADY (アドバンスト ディスプレイ オブ ザ イヤー) 2003」のグランプリを受賞
「ADY (アドバンスト ディスプレイ オブ ザ イヤー) 2003」のグランプリを受賞

2003年7月2日、当社の「192出力PDP(Plasma Display Panel) 用データドライバIC µPD16347」が「ADY 2003 (部品・材料部門)」のグランプリを受賞しました。



 
Vol.11
2003/07/02
VLSIシンポジウム研究発表のご紹介
VLSIシンポジウム研究発表のご紹介

2003年6月10日から14日まで、回路設計の学会として著名な「VLSIシンポジウム 2003」が京都で開催されました。今回は、その学会でNECエレクトロニクスから発表された研究の成果をご紹介します。



 
Vol.10
2003/06/25
「第6回組込みシステム開発技術展(ESEC)」 (会期:2003年7月9日∼11日、会場:東京ビッグサイト)へ出展
「第6回組込みシステム開発技術展(ESEC)」
(会期:2003年7月9日∼11日、会場:東京ビッグサイト)へ出展

当社ブースでは、各種の組込み向けソリューションや短期間で本格的なASIC設計を実現するISSP™シリーズ、64ビットRISCマイクロプロセッサ VRシリーズのソリューション ラインナップなどをご紹介します。



 
Vol.6
2003/05/27
世界初、PCI Express のデモンストレーションに成功
世界初、PCI Express のデモンストレーションに成功

5月5日(米国時間)から米国ルイジアナ州ニューオーリンズで開催された展示会「WinHEC」において、NECエレクトロニクス アメリカが世界に先駆けてPCI Express™エンドポイント・コントローラのデモンストレーションを披露しました。



 
Vol.2
2003/04/25
インテル様より「SCQI賞」を受賞
インテル様より「SCQI賞」を受賞

3月26日(米国時間)、当社はインテル様より2002年度のSCQI賞を受賞しました。SCQI賞とは、インテル様に製品やサービスを提供している企業の中から、特に品質面や技術面で優れていたと評価された企業に贈られるものです。



Webマガジン ホームへ戻る