NECの64Mビットモバイル用RAM 「μPD4664312」

NEC(NECエレクトロンデバイス)はこのたび、多機能化が進む携帯電話やPHSなどのモバイル機器向けに、ローパワーSRAM機能互換で、世界最高のアクセス速度を実現した64Mビット モバイル用RAM「μPD4664312-X」を製品化し、本日からサンプル出荷を開始いたします。
新製品のサンプル価格は3000円/個となっており、生産規模としては平成14年5月以降、月産50万個を計画しております。

新製品の主な特長は次の通りとなっております。

近年、携帯電話やPHSなどのモバイル機器には、インターネット接続・画面のカラー化・音楽配信・動画配信などの新しいサービスや機能が登場しており、これらのアプリケーションに対応するため、搭載されるメモリにも大容量化が望まれております。
こうしたニーズに応えるため、モバイル機器向けに様々なDRAM製品やSRAMの大容量品が開発されております。しかし、シンクロナスDRAM(SDRAM)に代表されるDRAM製品は大容量化・高速化では優れておりますが、消費電力が大きく、また、従来からモバイル機器に用いられているSRAMは低消費電力という点で優れておりますが、メモリ・セルとしてトランジスタを6素子使用するため16Mビット以上の大容量品になるとチップ・サイズが大きく、高価になる、といった課題を有しております。
こうした課題を克服し、モバイル機器メーカーのニ-ズに応えるべく、NECでは平成12年8月にモバイル用RAMの第一弾として16Mビット品を、また、平成13年6月には第二弾として32Mビット品を開発し、それぞれ量産を開始しております。
このたびの新製品は、これらのライン・アップに加え、さらなる大容量化・高速化へのニーズに応えるもので、以下の特長を有しております。

1. 世界最高の読み出し速度を実現

   内部の電源電圧依存や温度依存をなくす新規回路技術の採用、メモリ・セル・アレイの分割の最適化、センス・アンプ・サイズの最適化、内部昇圧電圧レベルの最適化、トランジスタの高性能化などにより、世界最高の読み出し速度を実現。

2. 非同期ローパワーSRAMとの互換

   新製品はDRAMセルを用いているため、DRAM特有のメモリ・セルのリフレッシュ動作が必要であるが、リフレッシュ動作をチップ内部で自動的に行う構成にし、外部から制御する必要を無くしたことで、ローパワーSRAMと機能の互換を実現。

3. 低スタンバイ電流を実現

   ビット線分割などのアレイ部の効率化による充放電電流削減、および電源回路の消費電流削減などにより、スタンバイ電流60μA(TYP.)/100μA(MAX.)を実現。

4. パーシャル・リフレッシュ機能を搭載

   データ保持領域とデータ非保持領域の容量を選択できるパーシャル・リフレッシュ機能を搭載。データ保持容量を16M/8M/4Mから任意に選択でき、データ保持容量を少なく設定することでスタンバイ電流の低減が可能。スタンバイ電流はデータ保持容量16Mで60μA、8Mで50μA、4Mで45μA。また、データを保持しない設定では、スタンバイ電流を最大10μAに抑えることが可能。

新製品は単体としての使用のほかに、フラッシュメモリやローパワーSRAMなどのチップと組み合わせた、S-MCP(Stacked Multi Chip Package)製品にも適しております。NECは現在、S-MCPで最大5段までのスタックが可能であり、様々なチップを組み合わせたS-MCP製品の発売も検討しております。
NECは今後も128Mビット以上の大容量など、モバイル用RAMのライン・アップを拡充し、お客様のニーズに応えるべく努力してまいります。

なお、新製品の主な仕様は別紙をご覧ください。