NECはこのたび、FeRAM(強誘電体不揮発性メモリ)技術に関する知的財産権の使用・開発・製造・販売に関する包括的なライセンス契約を米国Ramtron International Corporation(本社:米国コロラド州、以下ラムトロン社)と締結しました。

FeRAMは、次世代不揮発性メモリとして非常に有望視されるメモリ技術のひとつであります。現在主流の不揮発性メモリであるEEPROMに対し、繰り返し書込み回数で1千万倍、データ書き換え時間は一万分の一と大幅な性能向上が期待できます。また同時に書き換え時に高電圧を必要としないと言うメリットがあり半導体プロセスの微細化に対応する技術でもあります。

ICカード市場は、世界市場で2000年6億枚から2003年には14億枚の出荷が見込まれる成長産業であり、今後は現在主流の単機能カードから次世代ICカードとして注目されるJavaカードの様なマルチ・アプリケーション向けオープン・プラットフォーム・カードに比重が移ると見られています。このJavaカードにおけるJavaアプレットの実行時には不揮発性メモリへの書込みが頻繁に生じるため、従来のEEPROMをFeRAMに置き換えることにより大幅な処理性能の向上が期待できます。
また、非接触ICカードの応用を考えた場合、カードは通常それ自体ではバッテリーを有せず電磁誘導結合により電力の供給を受けるため、交通機関等の通過型用途では電力の供給時間が限られます。従って単位データあたりの書込みスピードの速いFeRAMがEEPROMに対し圧倒的に有利となります。

従来のFeRAM製造技術では、強誘電体容量を配線工程の前に作りこむ必要があった為、強誘電体容量を作りこんだ後の製造過程での熱や物理的ストレス、また水素還元雰囲気の影響を受け易く強誘電体特性の劣化につながると言う問題がありました。NECでは独自に開発したFeRAM製造技術により、論理回路を作りこんだ後に強誘電体容量を積層することでこの問題を解決しました。この結果、3層以上の多層配線プロセスにも適応が可能となり、かつFeRAMセルのサイズの縮小化が容易となりました。さらに、今後のプロセスの微細化にも容易に対応することが可能であります。

NECでは今回のラムトロン社とのFeRAMに関する包括的ライセンス契約とNEC独自のFeRAM技術により、2002年4月には世界に先駆け0.25μmルールプロセスを採用したFeRAM搭載32ビットICカードマイコンのサンプル出荷を予定しております。