1.65V動作を実現したページ機能付き64Mビット・フラッシュメモリの発売
「64ビットフラッシュメモリ（μPD29F064115）（μPD29F064215）」
NEC（NECエレクトロンデバイス）はこのたび、業界トップクラスの1.65Vという低電圧動作を実現し携帯電話やPDA等のモバイル機器に最適な64Mビット・フラッシュメモリを開発し、「μPD29F064115」「μPD29F064215」の名称で本年10月からサンプル出荷を開始いたします。
新製品の主な特長
- 1.65Vという業界トップクラスの低電圧での動作を実現し、モバイル機器の低消費電力化が可能。
- データ読み出しを高速で行うページ機能を搭載し、1アドレスあたり30ナノ秒の読み出し速度を実現。
- 4バンク構成（8Mビット＋24Mビット＋24Mビット＋8Mビット）を採用し、記憶容量を効率よく使用可能。
- 書き込み・消去動作と読み出し動作を並行して行うことができるデュアル・オペレーション機能を搭載。
新製品のサンプル価格は、6000円となっております。また、量産規模としては平成14年度上期には月産100万個を計画しております。
近年、モバイル機器は、高速なインターネット・アクセスが標準化され、プログラムやデータの大容量化・処理速度の向上が求められております。それと同時に、機能の多様化に伴い消費電力が増加し、長時間動作を実現するには低消費電力化が不可欠となっております。このため、モバイル機器に搭載されるフラッシュメモリにも、低消費電力化・大容量化・高速化が望まれております。
新製品は、この低消費電力・大容量・高速というニーズに応える、モバイル機器に最適なフラッシュメモリです。
新製品の特長は以下の通りです。
- ページ・モードを搭載
4ワード・ランダム・アクセスと8ワード・シーケンシャル・アクセスの2種類を選択可能なページ・モードを搭載し、1アドレスあたり30nsというページ読み出し速度を実現。これにより、搭載機器の処理速度を向上。
- 記憶領域を効率的に活用可能
携帯電話などのプログラム記憶領域とデータ記憶領域の容量比を考慮して8Mビット＋24Mビット＋24Mビット＋8Mビットというバンク構成を採用。さらに、対称的なバンク構成となっているため、トップ・ブート、ボトム・ブート両方式のデータ読み書きに対応可能。
- デュアル・オペレーション
携帯電話などのモバイル機器では必須となっているデュアル・オペーレーション機能を標準で搭載。4バンク中の1バンクで書き込み（消去）を行っている場合にも、他の3バンクからは読み出しが可能。
- 3.0V品もラインアップ
3.0Vの入出力電源端子を搭載した「μPD29F064115」により、既存の3.0V電源系の装置にも対応可能。
本製品は単体での供給のほかに、モバイル用RAMやSRAMと組み合わせたS−MCP（Stacked Multi Chip Package）でも供給し、モバイル機器の小型化にも貢献いたします。
なお、新製品の主な仕様は別紙をご覧ください。
以 上
＜この発表に関するお客様からの問い合わせ先＞
NECエレクトロンデバイス 半導体テクニカルホットライン
電 話 （044）435−9494（直通） FAX （044）435−9608 E-Mail info@lsi.nec.co.jp
