高性能かつ高集積を実現したアナログセミカスタムLSIの発売

1. 業界に先駆け、絶対精度±10%を実現したポリシリコン抵抗採用の高性能バイポーラプロセス技術を用い、当社従来製品比で2倍以上の精度を有するオペアンプやレギュレータを搭載したアナログ回路を実現。
   
   
2. 当社従来製品と比較し、プロセスの微細化により約1．2倍のトランジスタを搭載。さらに、抵抗素子面積を約1／10に縮小した高抵抗タイプ・ポリシリコン抵抗の採用により約2倍の抵抗を搭載。こうしたトランジスタおよび抵抗の高密度化により、チップサイズの有効効率を向上し、低価格を実現。

「アナログマスタ�U」は回路素子が936個の「μPC5701」、1840個の「μPC5702」、2840個の「μPC5703」、3628個の「μPC5704」の4品種で構成されております。販売価格は品種やパッケージなどのユーザ要求仕様により異なりますが、「μPC5701」を16ピンSSOPタイプのパッケージに搭載し、月3万個購入した場合、開発費550万円、単価100円、「μPC5704」を48ピンQFPタイプのパッケージに搭載し、月3万個購入した場合、開発費720万円、単価330円となります。

近年では、携帯機器をはじめ低電圧化が進み、セルベースICに代表されるデジタルICだけでなく、これらとペアで使用されるアナログICにも低電圧で駆動でき、かつ高精度・高機能なアナログ特性が強く求められおります。
「アナログマスタ�U」はこのような市場ニーズに応えるべく新たに販売を開始するもので、2003年に100億円、2005年に200億円の売上を計画しております。

1. 新開発技術「高性能バイポーラプロセス」の採用
   
   新開発のポリシリコン抵抗は抵抗率が膜厚に依存しないポリシリコン薄膜と抵抗面積を縮小した電極抵抗を採用し、業界に先駆けて絶対精度±10％を実現（当社従来製品比約2倍に向上）。
   新開発プロセス採用により、NPNトランジスタのベース−エミッタ間の電圧差および抵抗のばらつきを当社従来製品比で1／2以下に低減。その結果、室温における入力オフセット電圧は平均±1mV、レギュレータ出力電圧精度は平均±2％と、従来品に比べアナログ性能が大幅に向上。
   
   
   
2. 静電保護強度の向上
   
   プロセス改善により静電保護強度を高め、世界の主要な静電強度規格（HBM・MM・CDM）に適合。製造工程におけるICの劣化を低減。
   
   
   
3. ユーザーサポートの拡充
   
   回路設計者の減少などでアナログ設計が困難になるなか、顧客のアナログIC開発を当社のアナログ回路設計技術者が支援。
   
   
   
4. 開発期間の短縮
   
   バイポーラトランジスタ、抵抗およびコンデンサをあらかじめ拡散層まで形成したマスタウエハにアルミ配線を施すプロセスを採用しており、一般のフルカスタムLSIと比べて約1／2の期間で製品化が可能。

（注）	HBM：	Human Body Model
	MM ：	Machine Model
	CDM：	Charged Device Model