世界最先端のシステムLSIプロセスの開発を完了
「次世代システムＬＳＩプロセス（ＵＸ６）」
NEC（NECエレクトロンデバイス）はこのたび、次世代デジタルコンシューマ、携帯電話、基幹通信、インターネットサーバをドライブする0.10μm世代（ゲート長＝65nm、動作電圧＝1.0V）システムLSIプロセス「UX6」の基本モジュールの開発を完了しました。
「UX6」は、以下の特長により、超高性能と低消費電力を実現いたします。
- 最先端のArF（フッ化アルゴン）レーザ露光技術と高精度エッチング技術によりトランジスタのゲート長を65nmまで微細化することにより、当社従来プロセス（「UX5」プロセス＝ゲート長0.095μm）と比べて約1.5倍の高集積度を実現。
- ゲート長微細化に伴うゲート絶縁膜の薄膜化により発生する漏れ電流の増加を低減するため、ゲート絶縁膜（シリコン酸化膜）の表面だけに窒素を導入する「ラジカル酸窒化プロセス」を新たに開発適用し、ゲート絶縁膜の漏れ電流を従来プロセスに比べて2桁近く低減し、大幅な低消費電力を実現。
- 1GHz超領域の高速・高性能対応を実現するため、新材料によるLow-k層間絶縁膜（誘電率2.4以下）を採用し、配線間容量を低減。
- 様々な用途に対応するため、トランジスタを目的別に4種類（Ultra High Speed, High Speed、Standard(STD)、Low
Leakage Current）用意し、きめ細かなスピード、パワーマネジメントが可能。
- Ultra High Speed / High Speedは世界最高レベルの性能を提供。
- STDトランジスタはIP流用に対応。
- Low Leakage Currentはトリプルオキサイド技術を適用し、漏れ電流を大幅に低減。
なお、NECでは、今回開発した「UX6」プロセスのデザインルールとHigh SpeedおよびSTDトランジスタ特性の目標値（ターゲット）を、TSMC社(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.)と共有いたしました。
両社でデバイスターゲットを共有することにより、カスタマーは両社で検証されたIPコアを容易に活用できることになります。こうしたデザインル−ル共通化の動きはシステムLSIに必須であるIPコアの流通を促進させるものと考えております。また、将来のファウンダリ活用も容易化します。
「UX6」をプラットフォームにし、シグナルインティグリティ対応技術、高速・ワイドバンド技術、低消費電力技術を統合したシステムLSI設計基盤「CB−100」は、平成15年（暦年）第一四半期から受注開始予定です。
以 上
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